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PMDXB600UNEZ

Name: Nexperia PMDXB600UNEZ
Brand: Nexperia
SKU: 771-PMDXB600UNEZ
Price: 261 CRC
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

771-PMDXB600UNEZ

Fabricante N.º:

PMDXB600UNEZ

Fabricante:

Nexperia

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMDXB600UNE/SOT1216/DFN1010B-6

Hoja de datos:

PMDXB600UNEZ Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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En pedido:: 24 993

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Plazo de entrega de fábrica:: 8

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₡-,--

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₡-,--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡261,00	₡261,00
	₡136,30	₡1 363,00
	₡91,06	₡9 106,00
	₡51,62	₡25 810,00
	₡40,60	₡40 600,00
	₡39,44	₡98 600,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)
	₡33,64	₡168 200,00
	₡29,58	₡295 800,00
	₡27,26	₡681 500,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-1010-6
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	20 V
Id - Corriente de drenaje continua:	600 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	3 Ohms, 3 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	450 mV
Qg - Carga de puerta:	400 pC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	380 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Nexperia
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	51 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	1 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	9.2 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	19 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	5.6 ns
Alias de las piezas n.º:	934067655147
Peso de la unidad:	1,200 mg

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KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

PMDXBx 20V Trench MOSFETs

Nexperia PMDXBx 20V Trench MOSFETs consist of enhancement mode field-effect transistors (FET) in leadless, ultra-small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. The devices employ Trench MOSFET technology, have an exposed drain pad for excellent thermal conduction, provide >1kV HBM ESD protection, and offer 470mΩ drain-source on-state resistance. The PMDXBx MOSFETs are available in dual N- and P-channel versions. The Nexperia PMDXBx 20V Trench MOSFETs are ideal for relay drivers, high-speed line drivers, low-side load switches, and switching circuits.