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PMDXB950UPEZ

Name: Nexperia PMDXB950UPEZ
Brand: Nexperia
SKU: 771-PMDXB950UPEZ
Price: 290 CRC
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

771-PMDXB950UPEZ

Fabricante N.º:

PMDXB950UPEZ

Fabricante:

Nexperia

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMDXB950UPE/SOT1216/DFN1010B-6

Hoja de datos:

PMDXB950UPEZ Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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₡-,--

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₡-,--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡290,00	₡290,00
	₡178,64	₡1 786,40
	₡113,68	₡11 368,00
	₡85,26	₡42 630,00
	₡68,44	₡68 440,00
	₡67,28	₡168 200,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)
	₡56,84	₡284 200,00
	₡49,88	₡498 800,00
	₡48,72	₡1 218 000,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-1010-6
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	20 V
Id - Corriente de drenaje continua:	500 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	5 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	450 mV
Qg - Carga de puerta:	2.1 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	380 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Nexperia
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	6 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	480 mS
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	5 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	13.5 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	2.3 ns
Alias de las piezas n.º:	934067656147
Peso de la unidad:	1,200 mg

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TARIC:: 8541290000
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ECCN:: EAR99

PMDXBx 20V Trench MOSFETs

Nexperia PMDXBx 20V Trench MOSFETs consist of enhancement mode field-effect transistors (FET) in leadless, ultra-small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. The devices employ Trench MOSFET technology, have an exposed drain pad for excellent thermal conduction, provide >1kV HBM ESD protection, and offer 470mΩ drain-source on-state resistance. The PMDXBx MOSFETs are available in dual N- and P-channel versions. The Nexperia PMDXBx 20V Trench MOSFETs are ideal for relay drivers, high-speed line drivers, low-side load switches, and switching circuits.