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PMH850UPEH

Name: Nexperia PMH850UPEH
Brand: Nexperia
SKU: 771-PMH850UPEH
Price: 186 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

771-PMH850UPEH

Fabricante N.º:

PMH850UPEH

Fabricante:

Nexperia

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8001 P-CH 30V .6A

Hoja de datos:

PMH850UPEH Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Precio ext.:

₡-

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 10000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡186	₡186
	₡115	₡1 150
	₡108	₡5 400
	₡72,5	₡7 250
	₡53,4	₡26 700
	₡42,3	₡42 300
	₡39,4	₡197 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 10000)
	₡39,4	₡394 000

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-0606-3
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	600 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	950 mV
Qg - Carga de puerta:	600 pC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	660 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Nexperia
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	3 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	1 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	2 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	10000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	2 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	6 ns
Alias de las piezas n.º:	935690961125

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CNHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

DFN0606 Trench MOSFETs

Nexperia DFN0606 Trench MOSFETs are designed to utilize Trench MOSFET technology to provide low threshold voltage and very fast switching. These Nexperia MOSFETs feature electrostatic discharge (ESD) protection and are available in a leadless ultra-small DFN0606-3 (SOT8001) surface-mount (SMD) plastic package. Typical applications include mobile phones, wearable and portable devices, mobile phone accessories, headsets, earphones, and hearing aids.