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PMV50XPR

Name: Nexperia PMV50XPR
Brand: Nexperia
SKU: 771-PMV50XPR
Price: 371 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

771-PMV50XPR

Fabricante N.º:

PMV50XPR

Fabricante:

Nexperia

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 20V 3.6A

Hoja de datos:

PMV50XPR Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡371	₡371
	₡225	₡2 250
	₡191	₡9 550
	₡143	₡14 300
	₡108	₡54 000
	₡96,3	₡96 300
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡81,2	₡243 600
	₡73,7	₡442 200

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-23-3
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	20 V
Id - Corriente de drenaje continua:	4.4 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	48 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	900 mV
Qg - Carga de puerta:	7.7 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1.096 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Nexperia
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	68 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	9 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	18 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	135 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	7 ns
Alias de las piezas n.º:	934068894215
Peso de la unidad:	8 mg

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TARIC:: 8541290000
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ECCN:: EAR99

PMVxx P-Channel Trench MOSFETs

Nexperia P-Channel Trench MOSFETS are enhancement mode field-effect transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. They employ Trench MOSFET technology and offer a low threshold voltage and very fast switching. These MOSFETs are ideal for such applications as relay drivers, high-speed line drivers, low-side loadswitches, and switching circuits.

SOT23 Surface-Mounted Package Products

Nexperia SOT23 Surface-Mounted Package Products are contained in a plastic, surface-mounted, three terminals, 1.9mm pitch, 2.9mm x 1.3mm x 1mm package. This mainstay package in semiconductors was introduced in 1969 and quickly became an industry standard. The SOT23 encapsulates an extensive range of diodes, bipolar transistors, MOSFETs, and ESD protection devices within Nexperia's portfolio. The SOT23 package has been a constant for the last 50 years, leading to several offspring, such as the SOT223 and SOT323.