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PSMN040-100MSEX

Name: Nexperia PSMN040-100MSEX
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN040-100MSEX
Price: 800.4 CRC
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

771-PSMN040-100MSEX

Fabricante N.º:

PSMN040-100MSEX

Fabricante:

Nexperia

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 100V 30A N-CH MOSFET

Hoja de datos:

PSMN040-100MSEX Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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En pedido:: 42 000

Se espera el 22/5/2026

105 000

52 500

Se espera el 10/8/2026

52 500

Se espera el 11/8/2026
Plazo de entrega de fábrica:: 13

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₡-,--

Precio ext.:

₡-,--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡800,40	₡800,40
	₡498,22	₡4 982,20
	₡330,60	₡33 060,00
	₡260,42	₡130 210,00
	₡225,04	₡225 040,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	₡207,64	₡311 460,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	LFPAK-33-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	30 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	36.6 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.3 V
Qg - Carga de puerta:	30 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	91 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Nexperia
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	13 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	14.1 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	18.7 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	8.3 ns
Alias de las piezas n.º:	934067473115
Peso de la unidad:	100,200 mg

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TARIC:: 8541290000
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ECCN:: EAR99

PSMN0xx-100MSE NextPower PoE MOSFETs

Nexperia PSMN040-100MSE / PSMN075-100MSE NextPower Power-over-Ethernet (PoE) MOSFETs are designed to complement the latest high-power, PSE controllers. These Nexperia PoE MOSFETs offer more than two times the protection of competitive devices, together with low RDS(on) parameters in a cost-effective, industry-standard LFPAK33 package. SMN040-100MSE and PSMN075-100MSE feature an enhanced forward-biased safe operating area for superior linear mode operation.