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PSMN2R0-55YLHX

Name: Nexperia PSMN2R0-55YLHX
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN2R0-55YLHX
Price: 2813 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

771-PSMN2R0-55YLHX

Fabricante N.º:

PSMN2R0-55YLHX

Fabricante:

Nexperia

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 N-CH 55V 200A

Hoja de datos:

PSMN2R0-55YLHX Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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₡-

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₡-

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡2 813	₡2 813
	₡1 833	₡18 330
	₡1 525	₡76 250
	₡1 276	₡127 600
	₡1 270	₡317 500
	₡1 241	₡620 500
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	₡980	₡1 470 000
	₡928	₡2 784 000

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-1023-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	55 V
Id - Corriente de drenaje continua:	200 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2.1 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.2 V
Qg - Carga de puerta:	119 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	333 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Nexperia
Tiempo de caída:	28 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	38 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	60 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	39 ns
Alias de las piezas n.º:	934661304115

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Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

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Nexperia 50V/55V MOSFETs for 36V DC Motors offer 330A or 410A of continuous current in an LFPAK88 package. The logic level, gate drive, and N-channel enhancement-mode MOSFETs are members of the MOSFETs for Battery Isolation and DC Motor control family. The devices use Nexperia’s unique “SchottkyPlus” technology that delivers high efficiency and low spiking performance usually associated with MOSFETs with an integrated Schottky or Schottky-like diode but without problematic high leakage current.