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PXP015-30QLJ

Name: Nexperia PXP015-30QLJ
Brand: Nexperia
SKU: 771-PXP015-30QLJ
Price: 475.6 CRC
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

771-PXP015-30QLJ

Fabricante N.º:

PXP015-30QLJ

Fabricante:

Nexperia

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PXP015-30QL/SOT8002/MLPAK33

Hoja de datos:

PXP015-30QLJ Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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En pedido:: 3

Se espera el 19/2/2027

6 000

Se espera el 22/2/2027
Plazo de entrega de fábrica:: 12

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₡-,--

Precio ext.:

₡-,--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡475,60	₡475,60
	₡294,06	₡2 940,60
	₡190,24	₡19 024,00
	₡145,58	₡72 790,00
	₡131,08	₡131 080,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡112,52	₡337 560,00
	₡103,24	₡619 440,00
	₡100,34	₡903 060,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	MLPAK33-8
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	12.8 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	22 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	24.6 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	4.2 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Nexperia
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	58 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	22 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	39 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	58 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	4 ns
Alias de las piezas n.º:	934663639118

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Hoja de datos

PXP015-30QLJ Hoja de datos (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

PXP0 P-Channel Trench MOSFETs

Nexperia PXP0 P-Channel Trench MOSFETs are enhancement mode Field-Effect Transistors (FETs) that utilize Trench MOSFET technology. The PXP0 P-Channel comes in an MLPAK33 (SOT8002) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. The MOSFETs are logic-level compatible and use Trench MOSFET technology. Typical applications include high-side load switch, battery management, DC to DC conversion, and switching circuits.