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QH8JC5TCR

Name: ROHM Semiconductor QH8JC5TCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-QH8JC5TCR
Price: 1003 CRC
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

755-QH8JC5TCR

Fabricante N.º:

QH8JC5TCR

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Dual Pch+Pch Small Signal MOSFET

Hoja de datos:

QH8JC5TCR Hoja de datos

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	₡667	₡6 670
	₡447	₡44 700
	₡353	₡176 500
	₡323	₡323 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡284	₡852 000
	₡265	₡1 590 000
	₡264	₡2 376 000

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TSMT-8
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	3.5 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	91 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1 V
Qg - Carga de puerta:	17.3 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1.5 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	43 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	10 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 P - Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	82 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	9.2 ns
Alias de las piezas n.º:	QH8JC5
Peso de la unidad:	10 mg

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

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