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QH8JC5TCR

Name: ROHM Semiconductor QH8JC5TCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-QH8JC5TCR
Price: 1046.33 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-QH8JC5TCR

Fabricante N.º:

QH8JC5TCR

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Dual Pch+Pch Small Signal MOSFET

Hoja de datos:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡1 046,33	₡1 046,33
	₡666,83	₡6 668,30
	₡446,72	₡44 672,00
	₡353,47	₡176 735,00
	₡323,11	₡323 110,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡284,62	₡853 860,00
	₡281,91	₡1 691 460,00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TSMT-8
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	3.5 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	91 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1 V
Qg - Carga de puerta:	17.3 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1.5 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	JP
País de origen:	JP
Tiempo de caída:	43 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	10 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 P - Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	82 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	9.2 ns
Alias de las piezas n.º:	QH8JC5
Peso de la unidad:	10 mg

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

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