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QS6K1FRATR

Name: ROHM Semiconductor QS6K1FRATR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-QS6K1FRATR
Price: 313 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-QS6K1FRATR

Fabricante N.º:

QS6K1FRATR

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.26Rds(on) 1.7Qg

Hoja de datos:

QS6K1FRATR Hoja de datos

Modelo ECAD:

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₡-

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡313	₡313
	₡262	₡2 620
	₡176	₡17 600
	₡150	₡75 000
	₡136	₡136 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡112	₡336 000
	₡110	₡660 000

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-457T-6
Polaridad del transistor:	N-Channel, NPN
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	1 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	238 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.5 V
Qg - Carga de puerta:	1.7 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1.25 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	6 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	1 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	7 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	15 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	7 ns
Alias de las piezas n.º:	QS6K1FRA
Peso de la unidad:	10 mg

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Atributos seleccionados: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

QS6Kx Nch+Nch Automotive MOSFETs

ROHM Semiconductor QS6Kx Nch+Nch Automotive MOSFETs are low on-resistance MOSFETs that come with a built-in G-S protection diode. These MOSFETs are AEC-Q101 qualified and feature ±1A continuous drain current (I_D). The QS6Kx MOSFETs are available in a small surface-mount package (TSMT6). ROHM Semiconductor QS6Kx MOSFETs are suitable for power-switching applications.

Automotive Power Solutions

ROHM Semiconductor Automotive Power Solutions offer a broad portfolio of products and solutions for automotive systems, from the infotainment center and instrument cluster to powertrain and body ECUs. Also, as the demand for next-generation vehicles that embody these principles increases and automatic driving and smart cities will soon be realized, high-performance ICs and high power devices are becoming indispensable. ROHM contributes to the evolution and advancement of the automotive sector and next-generation cars by taking a quality-first approach to product manufacturing while ensuring long-term, stable supply.