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R8001CND3FRATL

Name: ROHM Semiconductor R8001CND3FRATL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-R8001CND3FRATL
Price: 1833 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-R8001CND3FRATL

Fabricante N.º:

R8001CND3FRATL

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 800V 1A 1st Gen, for Auto w/ESD Protect

Hoja de datos:

R8001CND3FRATL Hoja de datos

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡1 833	₡1 833
	₡1 195	₡11 950
	₡829	₡82 900
	₡702	₡351 000
	₡644	₡644 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	₡592	₡1 480 000
	₡571	₡2 855 000

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-252-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	800 V
Id - Corriente de drenaje continua:	1 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	8.7 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	5.5 V
Qg - Carga de puerta:	7.2 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	36 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	137 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	21 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	33 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	20 ns
Alias de las piezas n.º:	R8001CND3FRA
Peso de la unidad:	330 mg

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Atributos seleccionados: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

R800xxND3FRA N-Channel Automotive Power MOSFETs

ROHM Semiconductor R800xxND3FRA N-Channel Automotive Power MOSFETs are low on-resistance MOSFETs with simple drive circuits. These MOSFETs feature fast switching speed, lead-free plating, and are AEC-Q101 qualified. The R800xxND3FRA MOSFETs are available in DPAK (TO-252) packages. ROHM Semiconductor R800xxND3FRA MOSFETs are suitable for switching power supplies.