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RD3L07BBGTL1

Name: ROHM Semiconductor RD3L07BBGTL1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RD3L07BBGTL1
Price: 2099.6 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-RD3L07BBGTL1

Fabricante N.º:

RD3L07BBGTL1

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 60V(Vdss), 70A(Id), (4.5V Drive)

Hoja de datos:

RD3L07BBGTL1 Hoja de datos

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₡-,--

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₡-,--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡2 099,60	₡2 099,60
	₡1 374,60	₡13 746,00
	₡962,80	₡96 280,00
	₡788,80	₡394 400,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	₡788,80	₡1 972 000,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-252-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	115 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	3.9 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	47 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	102 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	27 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	72 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	12 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	72 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	21 ns
Alias de las piezas n.º:	RD3L07BBG

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RSDTxxNSFH Automotive TVS

ROHM Semiconductor RSDTxxNSFH Transient Voltage Suppressors (TVS) protect sensitive electronic equipment against surges below 3600W (t_p=10/1000µs). These voltage suppressors are unidirectional and highly reliable for use in automotive applications. The RSDTxxNSFH suppressors are power mold type and feature high current overload capability. These voltage suppressors come in silicon epitaxial planar structure and offer 5W power dissipation (P_D). ROHM Semiconductor RSDTxxNSFH suppressors are ideal for surge protection.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.