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RFN10RSM2STFTL1

Name: ROHM Semiconductor RFN10RSM2STFTL1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RFN10RSM2STFTL1
Price: 1137 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-RFN10RSM2STFTL1

Fabricante N.º:

RFN10RSM2STFTL1

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Rectificadores 200V 10A 15ns, TO-277A, Ultra Fast Recovery Diode for Automotive

Ciclo de vida:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡1 137	₡1 137
	₡725	₡7 250
	₡502	₡50 200
	₡431	₡215 500
	₡430	₡430 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 4000)
	₡430	₡1 720 000

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Rectificadores
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-277A-3
Vr - Tensión inversa:	200 V
If - Corriente directa:	10 A
Tipo:	Ultra Fast Recovery Diode
Configuración:	Single
Vf - Tensión directa:	960 mV
Sobrecorriente máx.:	130 A
Ir - Corriente inversa:	1 uA
Tiempo de recuperación:	25 ns
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Producto:	Rectifiers
Tipo de producto:	Rectifiers
Cantidad de empaque de fábrica:	4000
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers

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CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

Diodos de recuperación ultrarrápidos RFNxRSM2S

Los diodos de recuperación ultrarrápidos RFNxRSM2S de ROHM Semiconductor son diodos planares epitaxiales de silicio con bajo voltaje directo y bajo nivel de pérdida por conmutación. Estos diodos ultrarrápidos cuentan con un voltaje inverso máximo de 200 V y un rango de temperatura de almacenamiento de -55°C a 175°C. Los diodos de recuperación ultrarrápidos RFNxRSM2S ofrecen una alta capacidad de sobrecarga de corriente. Estos diodos vienen en un paquete TO-277A. Los diodos de recuperación ultrarrápidos RFNxRSM2S cumplen con las normas RoHS y son ideales para aplicaciones de rectificación general.