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RGSX5TS65EGC11

Name: ROHM Semiconductor RGSX5TS65EGC11
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RGSX5TS65EGC11
Price: 3120 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-RGSX5TS65EGC11

Fabricante N.º:

RGSX5TS65EGC11

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

IGBTs 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, FRD Built-in, Field Stop Trench IGBT

Ciclo de vida:

NRND:

No recomendado para nuevos diseños.

Hoja de datos:

RGSX5TS65EGC11 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡3 120	₡3 120
	₡2 749	₡27 490

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
Tecnología:	Si
Paquete / Cubierta:	TO-247N-3
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	650 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	2.15 V
Máximo voltaje puerta-emisor:	30 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	114 A
Dp - Disipación de potencia :	404 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Empaquetado:	Tube
Marca:	ROHM Semiconductor
Corriente de fuga puerta-emisor:	200 nA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	450
Subcategoría:	IGBTs
Alias de las piezas n.º:	RGSX5TS65E

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PCN

Product Change Notification 2024-10-15 (PDF)

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RGSX5TS65 650V 75A Field Stop Trench IGBTs

ROHM Semiconductor RGSX5TS65 650V 75A Field Stop Trench IGBTs feature a low collector-emitter saturation voltage. The RGSX5TS65 has a short circuit withstand time of 8μs. It's qualified to AEC-Q101 and has Pb-free lead plating.