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RQ3E180GNTB

Name: ROHM Semiconductor RQ3E180GNTB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ3E180GNTB
Price: 412 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-RQ3E180GNTB

Fabricante N.º:

RQ3E180GNTB

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4.5V Drive Nch MOSFET

Hoja de datos:

RQ3E180GNTB Hoja de datos

Modelo ECAD:

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₡-

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₡-

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡412	₡412
	₡342	₡3 420
	₡235	₡23 500
	₡201	₡100 500
	₡181	₡181 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡157	₡471 000
	₡140	₡840 000
	₡131	₡1 179 000

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	HSMT-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	18 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	4.3 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	22.4 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	2 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	10.2 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	17 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	6.9 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	56.8 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	16.5 ns
Alias de las piezas n.º:	RQ3E180GN

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ThermalLink

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Specification Sheets

SPICE Models

SpiceLink

Technical Resources

Test/Quality Data

REACH Regulation (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Silicon Power MOSFETs

ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs feature ultra-fast switching speeds and low on-resistance. These MOSFETs are available in a wide lineup of packages, including the miniature 0604 size to save space in various designs.

Medium Power MOSFETs

ROHM Medium Power MOSFETs are low ON-resistance devices useful for a wide range of applications. These MOSFETs feature a broad lineup with compact, high-power, and complex types to meet various needs. ROHM Medium Power MOSFETs come in high-power small mold packages, and typical applications are for DC/DC converters and load switches.