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RRR030P03HZGTL

Name: ROHM Semiconductor RRR030P03HZGTL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RRR030P03HZGTL
Price: 441 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-RRR030P03HZGTL

Fabricante N.º:

RRR030P03HZGTL

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET Pch -30V -3A, DriveVoltage:-4 SOT346T

Hoja de datos:

RRR030P03HZGTL Hoja de datos

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡441	₡441
	₡299	₡2 990
	₡205	₡20 500
	₡182	₡91 000
	₡161	₡161 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡135	₡405 000
	₡127	₡762 000
	₡116	₡1 044 000

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-346T-3
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	3 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	75 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	5.2 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	35 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	2.4 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	18 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	50 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	7 ns
Alias de las piezas n.º:	RRR030P03HZG
Peso de la unidad:	12 mg

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Atributos seleccionados: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

RRR0x0P03HZG Small Signal Automotive MOSFETs

ROHM Semiconductor RRR0x0P03HZG Small Signal Automotive MOSFETs are low on-resistance MOSFETs with built-in G-S protection diodes. These MOSFETs offer -30V drain-to-source voltage (V_DSS) and 1W power dissipation (P_D). The RRR030P03HZG MOSFET provides ±3A continuous drain current (I_D), and RRR040P03HZG MOSFET provides ±4A I_D. These MOSFETs are AEC-Q101 compliant and come with lead-free platings. ROHM Semiconductor RRR0x0P03HZG MOSFETs are available in a TSMT3 small surface-mount package and are suitable for DC/DC converters.