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RS3G160ATTB1

Name: ROHM Semiconductor RS3G160ATTB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RS3G160ATTB1
Price: 1833 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-RS3G160ATTB1

Fabricante N.º:

RS3G160ATTB1

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -40V(Vdss), -16.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

Hoja de datos:

RS3G160ATTB1 Hoja de datos

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡1 833	₡1 833
	₡1 195	₡11 950
	₡841	₡84 100
	₡713	₡356 500
	₡667	₡667 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	₡603	₡1 507 500
	₡597	₡2 985 000
	₡580	₡5 800 000

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOP-8
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	16 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	6.2 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1 V
Qg - Carga de puerta:	120 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	2 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	210 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	65 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P - Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	260 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	24 ns
Alias de las piezas n.º:	RS3G160AT
Peso de la unidad:	83 mg

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

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