Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

RV2C002UNT2L

Name: ROHM Semiconductor RV2C002UNT2L
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RV2C002UNT2L
Price: 249.82 CRC
Availability: OutOfStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

755-RV2C002UNT2L

Fabricante N.º:

RV2C002UNT2L

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1.2V Drive Nch MOSFET

Hoja de datos:

RV2C002UNT2L Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre ROHM Semiconductor RV2C002UNT2L

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-1006-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	20 V
Id - Corriente de drenaje continua:	180 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	100 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	25 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	110 mS
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	4 ns
Serie:	RVxC
Cantidad de empaque de fábrica:	8000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	12 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	3 ns
Alias de las piezas n.º:	RV2C002UN
Peso de la unidad:	22,293 mg

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

RV2C002UNT2L Hoja de datos

Other

Specification Sheets

SPICE Models

SpiceLink

Technical Resources

Test/Quality Data

RoHS (PDF)

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Tailandia
País de origen del ensamblaje:: Tailandia
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

Silicon Power MOSFETs

ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs feature ultra-fast switching speeds and low on-resistance. These MOSFETs are available in a wide lineup of packages, including the miniature 0604 size to save space in various designs.

Low Power MOSFETs

ROHM Low Power MOSFETs feature a small VML100 package size and an extremely low dimensional tolerance. This makes these ROHM MOSFETs ideal for high-density applications such as smartphones and other portable devices.

PRODUCTOS DESTACADOS

ROHM SEMICONDUCTOR

600V Super Junction (SJ) MOSFETs

Compact, low-profile package options that provide excellent heat dissipation.

Obtenga más información

RH7G03BBJFRA P-Channel Power MOSFET

This MOSFET has a V_DSS rating of -40V and an I_D rating (V_DS = -10V) of ±22A.

Obtenga más información

RJ1P10BAT P-Channel Power MOSFET

This MOSFET has a V_DSS rating of -100V and an I_D rating (V_DS = 10V) of ±105A.

Obtenga más información

RD3x Automotive N-Channel Power MOSFETs

AEC-Q101 MOSFETs featuring low forward voltage, fast recovery time, and high surge capability.

Obtenga más información

RQxAT P-Channel MOSFETs

Feature surface mount packaging with low ON resistance and are 100% Rg and UIS tested.

Obtenga más información

Disponibilidad

Existencias:: 0

Aún puede comprar este producto que se encuentra pendiente.

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
En pedido:: 16 000

Se espera el 27/8/2026

24 000

Se espera el 23/11/2026
Plazo de entrega de fábrica:: 22

Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

₡-,--

Precio ext.:

₡-,--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 8000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡249,82	₡249,82
	₡155,10	₡1 551,00
	₡97,33	₡9 733,00
	₡72,34	₡36 170,00
	₡57,77	₡57 770,00
	₡51,01	₡255 050,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 8000)
	₡33,83	₡270 640,00
	₡31,75	₡762 000,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

RV2C002UNT2L

Fabricante: ROHM Semiconductor

Descripción: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1.2V Drive Nch MOSFET

Especificaciones

Documentos (15)

Hoja de datos

Other

Specification Sheets

SPICE Models

Technical Resources

Test/Quality Data

Documentos ambientales

Cumplimiento de productos y comercio

Más información

Silicon Power MOSFETs

Low Power MOSFETs

Los clientes también compraron

PRODUCTOS DESTACADOS ROHM SEMICONDUCTOR

Disponibilidad

Precio (CRC)

QuickView

Se ha producido un error inesperado.

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1.2V Drive Nch MOSFET

PRODUCTOS DESTACADOS

ROHM SEMICONDUCTOR