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RV2C014BCT2CL

Name: ROHM Semiconductor RV2C014BCT2CL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RV2C014BCT2CL
Price: 296.67 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-RV2C014BCT2CL

Fabricante N.º:

RV2C014BCT2CL

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chnl -20V Vdss -/+1.4A Id RASMID

Hoja de datos:

RV2C014BCT2CL Hoja de datos

Modelo ECAD:

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₡-,--

Precio ext.:

₡-,--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 8000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡296,67	₡296,67
	₡181,64	₡1 816,40
	₡116,06	₡11 606,00
	₡86,92	₡43 460,00
	₡70,26	₡70 260,00
	₡57,77	₡288 850,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 8000)
	₡57,77	₡462 160,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-1006-3
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	20 V
Id - Corriente de drenaje continua:	1.4 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	300 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	600 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	3.1 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	0.3 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	12 ns
Serie:	RVxC
Cantidad de empaque de fábrica:	8000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	23 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	3.1 ns
Alias de las piezas n.º:	RV2C014BC
Peso de la unidad:	25,865 mg

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Specification Sheets

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Tailandia
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

Low-Gate Drive Voltage MOSFETs

ROHM Low-Gate Drive Voltage MOSFETs have a wide drive type of 0.9V to 10V. This wide drive type range offers support for applications ranging from a small signal to high power. ROHM Low-Gate Drive Voltage MOSFETs come in a wide choice of sizes as small as the microminiature package (0604 sizes). This variety of sizes helps to contribute to area space-saving in an application. These MOSFETs offer superior high-speed switching and low On-Resistance.

Silicon Power MOSFETs

ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs feature ultra-fast switching speeds and low on-resistance. These MOSFETs are available in a wide lineup of packages, including the miniature 0604 size to save space in various designs.

Low Power MOSFETs

ROHM Low Power MOSFETs feature a small VML100 package size and an extremely low dimensional tolerance. This makes these ROHM MOSFETs ideal for high-density applications such as smartphones and other portable devices.