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SBRT3M30LP-7

Name: Diodes Incorporated SBRT3M30LP-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-SBRT3M30LP-7
Price: 400 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

621-SBRT3M30LP-7

Fabricante N.º:

SBRT3M30LP-7

Fabricante:

Diodes Incorporated

Descripción:

Rectificadores y diodos Schottky 3A TrenchSBR 30V 3A 0.49Vf 0.02

Hoja de datos:

SBRT3M30LP-7 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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₡-

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡400	₡400
	₡262	₡2 620
	₡213	₡21 300
	₡164	₡82 000
	₡148	₡148 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡117	₡351 000
	₡116	₡696 000

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	Rectificadores y diodos Schottky
RoHS:
Producto:	Schottky Rectifiers
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	U-DFN-3030-8
Configuración:	Single Quad Anode Quad Cathode
Tecnología:	Si
If - Corriente directa:	3 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	30 V
Vf - Tensión directa:	490 mV
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo:	30 A
Ir - Corriente inversa:	20 uA
Temperatura de trabajo mínima:	- 65 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	SBRT3
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Diodes Incorporated
Tipo de producto:	Schottky Diodes & Rectifiers
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Peso de la unidad:	12 mg

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Hoja de datos

SBRT3M30LP-7 Hoja de datos (PDF)

Environmental Compliance (PDF)

CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

Schottky SBR® Super Barrier Rectifiers

Diodes Inc. Schottky SBR^® Super Barrier Rectifiers are Schottky rectifiers that utilize an MOS manufacturing process. This creates a superior two-terminal device that has a lower forward voltage (V_F) than comparable Schottky diodes. They possess the thermal stability and high-reliability characteristics of PN epitaxial diodes.