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SCS212AGC17

Name: ROHM Semiconductor SCS212AGC17
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCS212AGC17
Price: 3770 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-SCS212AGC17

Fabricante N.º:

SCS212AGC17

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 12A, 2nd Gen

Ciclo de vida:

NRND:

No recomendado para nuevos diseños.

Hoja de datos:

SCS212AGC17 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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₡-

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Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡3 770	₡3 770
	₡2 076	₡20 760
	₡1 902	₡190 200
	₡1 798	₡899 000

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220ACG-2
Configuración:	Single
If - Corriente directa:	12 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	650 V
Vf - Tensión directa:	1.55 V
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo:	43 A
Ir - Corriente inversa:	240 uA
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Empaquetado:	Tube
Marca:	ROHM Semiconductor
Dp - Disipación de potencia :	93 W
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tensión inversa:	650 V
Alias de las piezas n.º:	SCS212AG

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USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.

TO-220ACG SiC Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor TO-220ACG Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) feature a reverse voltage range of 650V to 1200V and a continuous reverse current range of 1.2µA to 20.0µA. SiC technology enables these devices to maintain a low capacitive charge (Q_C), reducing switching loss while enabling high-speed switching operation. In addition, unlike Si-based fast-recovery diodes, where the reverse recovery time increases along with temperature, SiC devices maintain constant characteristics, resulting in better performance.