SGT190R70ILB

STMicroelectronics
511-SGT190R70ILB
SGT190R70ILB

Fabricante:

Descripción:
GaN FETs 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor
Complete su diseño

Ciclo de vida:
Nuevo producto:
Lo nuevo de este fabricante.
Hoja de datos:
Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.
Más información
Conozca más sobre STMicroelectronics SGT190R70ILB

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
PowerFLAT-8
700 V
11.5 A
190 mOhms
- 6 V, + 7 V
2.5 V
2.8 nC
- 55 C
+ 150 C
83 W
Enhancement
GaN
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tiempo de caída: 4 ns
Sensibles a la humedad: Yes
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cut Tape
Empaquetado: MouseReel
Producto: FET
Tipo de producto: GaN FETs
Tiempo de subida: 4 ns
Serie: SGT
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tipo: PowerGaN Transistor
Tiempo de retardo de apagado típico: 1.7 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 1.4 ns
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

PCN

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

Códigos de cumplimiento
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

PowerGaN E-Mode G-HEMT™ Transistors

STMicroelectronics PowerGaN E-Mode G-HEMT™ Transistors are high‑performance, enhancement‑mode (normally‑off) GaN devices designed to deliver exceptionally fast switching, low conduction losses, and high power density across demanding power‑conversion applications. These transistors leverage Gallium Nitride’s wide‑bandgap advantages to achieve extremely low capacitances, minimal gate charge, and zero reverse‑recovery charge, enabling superior efficiency compared to traditional silicon power switches.

En existencias: 790

Existencias:
790 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
20 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
₡-,--
Precio ext.:
₡-,--
Est. Tarifa:
Empaque:
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Precio (CRC)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ †
₡2 097,48 ₡2 097,48
₡1 066,95 ₡10 669,50
₡968,07 ₡96 807,00
₡796,31 ₡398 155,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
₡655,79 ₡1 967 370,00
† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

Se ha producido un error inesperado.


¿Tiene alguna pregunta? Visite el Centro de ayuda.
Si tiene preguntas sobre un pedido específico, inicie sesión en su cuenta.

Si tiene más problemas, comuníquese con nosotros al 800-346-6873 o envíe un correo electrónico a help@mouser.com.