Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

SH8KB7TB1

Name: ROHM Semiconductor SH8KB7TB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SH8KB7TB1
Price: 1293 CRC
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

755-SH8KB7TB1

Fabricante N.º:

SH8KB7TB1

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 2NCH 40V 13.5A

Hoja de datos:

SH8KB7TB1 Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre ROHM Semiconductor SH8KB7TB1

En existencias: 4 778

Existencias:: 4 778 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 18 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

₡-

Precio ext.:

₡-

Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡1 293	₡1 293
	₡829	₡8 290
	₡563	₡56 300
	₡449	₡224 500
	₡424	₡424 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	₡367	₡917 500
	₡353	₡1 765 000
25 000	Presupuesto

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOP-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	13.5 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	8.4 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	27 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	2 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	18 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	13 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	16 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	47 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	18 ns
Alias de las piezas n.º:	SH8KB7

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

SH8KB7TB1 Hoja de datos

Specification Sheets

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Silicon Power MOSFETs

ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs feature ultra-fast switching speeds and low on-resistance. These MOSFETs are available in a wide lineup of packages, including the miniature 0604 size to save space in various designs.

SH8K Dual Nch+Nch Power MOSFETs

ROHM Semiconductor SH8K Dual Nch+Nch Power MOSFETs feature two 40V or 60V MOSFETs in a small, surface-mount SOP8 package with eight terminals. The SH8K series offers low on-resistance and maximum R_DS(on) of 8.4mΩ, 12.4mΩ, or 19.4mΩ. Other features are 2W power dissipation and ±8.5A, ±10.5, or ±13.5A drain current ID. These RoHS-compliant MOSFETs are halogen free and use Pb-free plating. ROHM Semiconductor SH8K Dual Nch+Nch Power MOSFETs are ideally suited for switching applications.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.