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SIDR402EP-T1-RE3

Name: Vishay SIDR402EP-T1-RE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIDR402EP-T1-RE3
Price: 1867.6 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

78-SIDR402EP-T1-RE3

Fabricante N.º:

SIDR402EP-T1-RE3

Fabricante:

Vishay Semiconductors

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

Hoja de datos:

SIDR402EP-T1-RE3 Hoja de datos

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₡-,--

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡1 867,60	₡1 867,60
	₡1 218,00	₡12 180,00
	₡852,60	₡85 260,00
	₡725,00	₡362 500,00
	₡719,20	₡719 200,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡609,00	₡1 827 000,00
	₡591,60	₡3 549 600,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerPAK SO-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	291 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	960 uOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 16 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.3 V
Qg - Carga de puerta:	165 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	150 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Tiempo de caída:	40 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	147 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	100 ns
Serie:	SIDR
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	56 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	45 ns

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de canal N de 30 a 45 V (D-S)

Los MOSFET de canal N de 30 a 45 V (D-S) de Vishay son MOSFET de potencia Gen IV TrenchFET® con un nivel muy bajo de factor de mérito (FOM) RDS Qg. Los dispositivos están sintonizados para el FOM RDS - Qoss más bajo con una función de enfriamiento de la parte superior que proporciona un lugar adicional para transferencias térmicas. Los MOSFET son 100 % Rg y se someten a pruebas UIS.