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SIR4606DP-T1-GE3

Name: Vishay SIR4606DP-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIR4606DP-T1-GE3
Price: 1044 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

78-SIR4606DP-T1-GE3

Fabricante N.º:

SIR4606DP-T1-GE3

Fabricante:

Vishay Semiconductors

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET

Hoja de datos:

SIR4606DP-T1-GE3 Hoja de datos

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₡-,--

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡1 044,00	₡1 044,00
	₡667,00	₡6 670,00
	₡445,44	₡44 544,00
	₡352,06	₡176 030,00
	₡321,90	₡321 900,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡304,50	₡913 500,00
	₡280,14	₡1 680 840,00
	₡273,18	₡6 556 320,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerPAK SO-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	40 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	4.9 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.4 V
Qg - Carga de puerta:	54 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	48 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	12 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	60 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	9 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	28 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	25 ns

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET de canal N de 30 a 45 V (D-S)

Los MOSFET de canal N de 30 a 45 V (D-S) de Vishay son MOSFET de potencia Gen IV TrenchFET® con un nivel muy bajo de factor de mérito (FOM) RDS Qg. Los dispositivos están sintonizados para el FOM RDS - Qoss más bajo con una función de enfriamiento de la parte superior que proporciona un lugar adicional para transferencias térmicas. Los MOSFET son 100 % Rg y se someten a pruebas UIS.