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SSM10N954L,EFF

Name: Toshiba SSM10N954L,EFF
Brand: Toshiba
SKU: 757-SSM10N954LEFF
Price: 568 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

757-SSM10N954LEFF

Fabricante N.º:

SSM10N954L,EFF

Fabricante:

Toshiba

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TCSPAC N-CH 12V 13.5A

Hoja de datos:

SSM10N954L,EFF Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡568	₡568
	₡423	₡4 230
	₡355	₡35 500
	₡349	₡349 000
	₡322	₡805 000
	₡305	₡1 525 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 10000)
	₡290	₡2 900 000
	₡289	₡5 780 000

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TCSPAC-153001-10
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	12 V
Id - Corriente de drenaje continua:	13.5 A
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.4 V
Qg - Carga de puerta:	25 nC
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1.4 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Toshiba
Tiempo de caída:	2.3 us
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	1.3 us
Cantidad de empaque de fábrica:	10000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	5.3 us
Tiempo típico de demora de encendido:	1 us

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Hoja de datos

SSM10N954L,EFF Hoja de datos (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

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