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SSM6N951L,EFF

Name: Toshiba SSM6N951L,EFF
Brand: Toshiba
SKU: 757-SSM6N951L,EFF
Price: 876 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

757-SSM6N951L,EFF

Fabricante N.º:

SSM6N951L,EFF

Fabricante:

Toshiba

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET Rdson: 4.4mOhm Vgs: 4.5V

Hoja de datos:

SSM6N951L,EFF Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡876	₡876
	₡554	₡5 540
	₡373	₡37 300
	₡293	₡146 500
	₡257	₡257 000
	₡246	₡615 000
	₡222	₡1 110 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 10000)
	₡206	₡2 060 000

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	12 V
Id - Corriente de drenaje continua:	8 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	5.1 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.4 V
Qg - Carga de puerta:	26 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	700 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Toshiba
Tipo de producto:	MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica:	10000
Subcategoría:	Transistors

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Application Notes

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

CNHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

SSM6N951L/SSM10N954L Field Effect Transistors

Toshiba SSM6N951L/SSM10N954L Field Effect Transistors promote high-efficiency charging/discharging in small cell batteries. Improving a battery's reliability with low thermal impact is a key requirement for Li-ion batteries adopting fast charging. MOSFETs are generally used as switches in the charge/discharge protection circuit and are often built into a Li-ion battery pack.