Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

STF80N1K1K6

Name: STMicroelectronics STF80N1K1K6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STF80N1K1K6
Price: 1337.6 CRC
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

511-STF80N1K1K6

Fabricante N.º:

STF80N1K1K6

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET

Complete su diseño

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Lo nuevo de este fabricante.

Hoja de datos:

STF80N1K1K6 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre STMicroelectronics STF80N1K1K6

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220FP-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	800 V
Id - Corriente de drenaje continua:	5 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.1 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	5.7 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	21 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	MDmesh
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	14 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	4.3 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	22 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	7.4 ns
Peso de la unidad:	1,690 g

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

STF80N1K1K6 Hoja de datos (PDF)

PCN

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

Códigos de cumplimiento

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs are Zener-protected and 100% avalanche-tested. These power MOSFETs feature 800V minimum drain-source breakdown voltage, ±30V gate-source voltage, and -55°C to 150°C operating junction temperature range. The MDmesh K6 Power MOSFETs also feature 5V/ns peak diode recovery voltage slope, 100A/µs peak diode recovery current slope, and 120V/ns MOSFET dv/dt ruggedness. Typical applications include notebook and AIO, flyback converters, adapters for tablets, and LED lighting.

PRODUCTOS DESTACADOS

STMICROELECTRONICS

STH4N150-2AG N-Channel Power MOSFET

Designed to ensure a high level of voltage and robustness for the automotive applications.

Obtenga más información

STL059N4S8AG Power MOSFET

A 40V N-channel enhancement mode Power MOSFET designed in Smart STripFET F8 technology.

Obtenga más información

N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs

800V, Zener-protected, 100% avalanche tested, and ideal for flyback converters and LED lighting.

Obtenga más información

STripFET F8 N-Channel Power MOSFETs

AEC-Q101 qualified and offers a comprehensive package solution from 30V to 150V.

Obtenga más información

STP80N1K1K6 N-Channel Power MOSFET

Uses MDmesh K6 technology, leveraging 20 years of experience in super junction technology.

Obtenga más información

En existencias: 997

Existencias:: 997 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 24 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

₡-,--

Precio ext.:

₡-,--

Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡1 337,60	₡1 337,60
	₡655,79	₡6 557,90
	₡582,92	₡58 292,00
	₡469,98	₡234 990,00
	₡400,76	₡400 760,00
	₡366,93	₡1 834 650,00
	₡351,83	₡3 518 300,00

STF80N1K1K6

Fabricante: STMicroelectronics

Descripción: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET Complete su diseño

Especificaciones

Documentos (4)

Hoja de datos

PCN

Documentos ambientales

Cumplimiento de productos y comercio

Más información

N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs

Los clientes también compraron

PRODUCTOS DESTACADOS STMICROELECTRONICS

En existencias: 997

Precio (CRC)

QuickView

Se ha producido un error inesperado.

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET

Complete su diseño

PRODUCTOS DESTACADOS

STMICROELECTRONICS