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STGD4M65DF2

Name: STMicroelectronics STGD4M65DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGD4M65DF2
Price: 822.34 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STGD4M65DF2

Fabricante N.º:

STGD4M65DF2

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss

Complete su diseño

Hoja de datos:

STGD4M65DF2 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
Tecnología:	Si
Paquete / Cubierta:	DPAK-3 (TO-252-3)
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Configuración:	Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	650 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.6 V
Máximo voltaje puerta-emisor:	- 20 V, 20 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	8 A
Dp - Disipación de potencia :	68 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	STGD4M65DF2
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
Máx. corriente continua Ic del colector:	8 A
Corriente de fuga puerta-emisor:	250 uA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	IGBTs
Peso de la unidad:	330 mg

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Hoja de datos

STGD4M65DF2 Hoja de datos (PDF)

PCN

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. STMicroelectronics 650V M series supply a 3A-150A maximum collector current for applications with up to 100kHz operating frequency. The IGBTs have an optimized design and are available in a tailored built-in anti-parallel diode. A positive V_CE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

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En existencias: 5 000

Existencias:: 5 000 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 20 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

₡-,--

Precio ext.:

₡-,--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡822,34	₡822,34
	₡518,90	₡5 189,00
	₡345,07	₡34 507,00
	₡270,64	₡135 320,00
	₡246,70	₡246 700,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	₡217,55	₡543 875,00
	₡207,15	₡1 035 750,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

STGD4M65DF2

Fabricante: STMicroelectronics

Descripción: IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss Complete su diseño

Especificaciones

Documentos (6)

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PCN

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Cumplimiento de productos y comercio

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