STGP30M65DF2

STMicroelectronics
511-STGP30M65DF2
STGP30M65DF2

Fabricante:

Descripción:
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: IGBTs
RoHS:  
Si
Through Hole
Single
650 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
60 A
258 W
- 55 C
+ 175 C
STGP30M65DF2
Tube
Marca: STMicroelectronics
Tipo de producto: IGBTs
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Peso de la unidad: 2 g
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. STMicroelectronics 650V M series supply a 3A-150A maximum collector current for applications with up to 100kHz operating frequency. The IGBTs have an optimized design and are available in a tailored built-in anti-parallel diode. A positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

En existencias: 14

Existencias:
14
Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
1 000
Se espera el 25/12/2026
Plazo de entrega de fábrica:
20
Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
₡-,--
Precio ext.:
₡-,--
Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
₡1 826,83 ₡1 826,83
₡1 004,50 ₡10 045,00
₡817,13 ₡81 713,00
₡681,81 ₡340 905,00
₡614,15 ₡614 150,00
₡593,33 ₡1 186 660,00

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