STGW40M120DF3

STMicroelectronics
511-STGW40M120DF3
STGW40M120DF3

Fabricante:

Descripción:
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
1.2 kV
1.85 V
- 20 V, 20 V
80 A
468 W
- 55 C
+ 175 C
M
Tube
Marca: STMicroelectronics
Máx. corriente continua Ic del colector: 40 A
Corriente de fuga puerta-emisor: 250 nA
Tipo de producto: IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica: 600
Subcategoría: IGBTs
Peso de la unidad: 38 g
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Atributos seleccionados: 0 

                        
ST NCNR & NON Warrantied

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5-1013-36

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

M Series 1200V Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics M Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices represent an optimum compromise in performance to maximize the efficiency of inverter systems where low-loss and short circuit capability are essential. A positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution also result in safer paralleling operation. Typical applications for these devices include industrial drives, UPS, solar, and welding.

En existencias: 374

Existencias:
374 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
22 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
₡-,--
Precio ext.:
₡-,--
Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
₡3 180,04 ₡3 180,04
₡1 946,54 ₡19 465,40
₡1 670,69 ₡167 069,00
₡1 431,28 ₡858 768,00
₡1 316,78 ₡1 580 136,00

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