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STGWA25M120DF3

Name: STMicroelectronics STGWA25M120DF3
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA25M120DF3
Price: 3039.2 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STGWA25M120DF3

Fabricante N.º:

STGWA25M120DF3

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss

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Hoja de datos:

STGWA25M120DF3 Hoja de datos (PDF)

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡3 039,20	₡3 039,20
	₡1 711,00	₡17 110,00
	₡1 415,20	₡141 520,00
	₡1 293,40	₡776 040,00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
Tecnología:	Si
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	1.2 kV
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.85 V
Máximo voltaje puerta-emisor:	- 20 V, 20 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	50 A
Dp - Disipación de potencia :	375 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	M
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Máx. corriente continua Ic del colector:	25 A
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Corriente de fuga puerta-emisor:	250 nA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	600
Subcategoría:	IGBTs
Peso de la unidad:	38 g

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Hoja de datos

STGWA25M120DF3 Hoja de datos (PDF)

Application Notes

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

M Series 1200V Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics M Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices represent an optimum compromise in performance to maximize the efficiency of inverter systems where low-loss and short circuit capability are essential. A positive V_CE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution also result in safer paralleling operation. Typical applications for these devices include industrial drives, UPS, solar, and welding.