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SUD80460E-GE3

Name: Vishay SUD80460E-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SUD80460E-GE3
Price: 904.8 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

78-SUD80460E-GE3

Fabricante N.º:

SUD80460E-GE3

Fabricante:

Vishay / Siliconix

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 42A Id 10.5nC Qg Typ.

Hoja de datos:

SUD80460E-GE3 Hoja de datos

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡904,80	₡904,80
	₡563,18	₡5 631,80
	₡367,14	₡36 714,00
	₡283,04	₡141 520,00
	₡273,76	₡273 760,00
	₡232,58	₡465 160,00
	₡218,66	₡874 640,00
	₡211,70	₡2 117 000,00
	₡204,74	₡4 913 760,00

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

SUD80460E-BE3

Embalaje:

Tube

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

₡904,80

Mín.:

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Fabricante:

Vishay / Siliconix

Fabricante N.º:

SUD80460E-BE3

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 150V 42A N-CH MOSFET

Comparar con la parte actual

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	150 V
Id - Corriente de drenaje continua:	42 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	37.2 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	25 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	65.2 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Vishay / Siliconix
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	DE
Tiempo de caída:	30 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	11 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	20 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	15 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	8 ns
Alias de las piezas n.º:	SUD80460E-BE3
Peso de la unidad:	330 mg

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Atributos seleccionados: 0

                        
The BE3 suffix version of this part number is the exact form, fit, and 
function of this part number.  The only difference is the country of 
origin. The BE3 suffix part number typically has a shorter lead-time 
if not already in stock at Mouser. 
Please contact a Mouser Technical Service Representative for 
further assistance 
5-0321-7

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Hoja de datos

SUD80460E-GE3 Hoja de datos

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Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

Industrial Power Solutions

Vishay Industrial Power Solutions feature a broad selection of semiconductor and passive components for industrial power supply applications. These products offer access to advanced technology and reliable components essential for creating robust, durable, and efficient industrial products. The Vishay product portfolio for industrial power supplies includes power MOSFETs, power ICs, rectifiers, diodes, capacitors, resistors, and inductors.

ThunderFET® 150V to 250V MOSFETs

Vishay / Siliconix ThunderFET® 150V to 250V MOSFETs feature V_DS voltages of 150V, 200V, and 250V in N-Channel polarity types. Package types include the TO-252, PowerPAK SO-8, TO-263, and TO-220AB. The PowerPAK SO-8 packages achieve the best R_ds, Q_g, and Qoss by minimizing the package resistance and parasitic inductance. The SIR692DP 250V figure-of-merit (FOM) is 42% lower than prior generations. Applications for Vishay / Siliconix ThunderFET 150V to 250V MOSFETs include synchronous rectification, DC/DC converters, DC/AC inverters, and power supplies.

ThunderFET® Power MOSFETs

Vishay / Siliconix ThunderFET® Power MOSFETs provide low values of on-resistance for 100V MOSFETs with 4.5V ratings. The lower on-resistance translates into lower conduction losses and reduced power consumption for energy-saving green solutions. Vishay / Siliconix ThunderFET Power MOSFETs are optimized for primary-side switching and secondary-side synchronous rectification in isolated DC/DC power supply designs for telecom brick and bus converter applications. The 4.5V rating for on-resistance allows a wide range of PWM and gate driver ICs to be considered.