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TGF2929-FL

Name: Qorvo TGF2929-FL
Brand: Qorvo
SKU: 772-TGF2929-FL
Price: 401273 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

772-TGF2929-FL

Fabricante N.º:

TGF2929-FL

Fabricante:

Qorvo

Descripción:

GaN FETs DC-3.5GHz 100W 28V GaN

Hoja de datos:

TGF2929-FL Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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25	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Qorvo
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	NI-360
Polaridad del transistor:	N-Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	28 V
Id - Corriente de drenaje continua:	12 A
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 7 V, + 2 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	- 2.9 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Dp - Disipación de potencia :	144 W
Marca:	Qorvo
Frecuencia de trabajo máxima:	3.5 GHz
Frecuencia de trabajo mínima:	0 Hz
Sensibles a la humedad:	Yes
Potencia de salida:	100 W
Empaquetado:	Tray
Tipo de producto:	GaN FETs
Serie:	TGF2929
Cantidad de empaque de fábrica:	25
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN-on-SiC
Tipo:	RF Power MOSFET
Alias de las piezas n.º:	TGF2929 1123811
Peso de la unidad:	64,190 g

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 854239099
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

TGF2929 GaN RF Power Transistors

Qorvo TGF2929 GaN RF Power Transistors are discrete GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) HEMTs (High-Electron Mobility Transistor) that operate from DC to 3.5GHz. They are constructed with the QGaN25HV process, which features advanced field plate techniques to optimize power and efficiency at high drain bias operating conditions. This optimization can potentially lower system costs in terms of fewer amplifier line-ups and lower thermal management costs.

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.