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TJ60S04M3L,LXHQ

Name: Toshiba TJ60S04M3L,LXHQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TJ60S04M3L,LXHQ
Price: 992 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

757-TJ60S04M3L,LXHQ

Fabricante N.º:

TJ60S04M3L,LXHQ

Fabricante:

Toshiba

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 90W 1MHz Automotive; AEC-Q101

Hoja de datos:

TJ60S04M3L,LXHQ Hoja de datos (PDF)

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡992	₡992
	₡702	₡7 020
	₡484	₡48 400
	₡387	₡193 500
	₡356	₡356 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)
	₡318	₡636 000
	₡296	₡1 184 000
24 000	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	60 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	6.3 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 10 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	125 nC
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	90 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Toshiba
Tiempo de caída:	240 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	96 ns
Serie:	UMOS VI
Cantidad de empaque de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	730 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	126 ns
Alias de las piezas n.º:	TJ60S04M3L,LXHQ(O
Peso de la unidad:	360 mg

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Atributos seleccionados: 0

                        
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Automotive products 
may be used as engineering samples, however; they are not intended for 
volume automotive production or reliability testing without prior 
approval by Toshiba Semiconductor and Storage. 
Please contact a Mouser Technical Sales Representative for 
further assistance.
5-0320-2

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Simulation Model

Product Catalogs

Test/Quality Data

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Automotive U-MOSVI Power MOSFETs

Toshiba Automotive U-MOSVI Power MOSFETs are -40V P-channel power MOSFETs for automotive applications. These devices feature a gate drive voltage of -4.5V compared with -6V for the conventional products in the DPAK+ package. This feature allows systems to be used even when the battery voltage drops. The Toshiba Automotive U-MOSVI Power MOSFETs feature low on-resistance.

Automotive Devices

Toshiba Automotive Devices offer an extensive lineup of MOSFETs, optical isolation, transistors, and diodes, to cover various automotive applications in 12V to 48V battery systems. In addition, Toshiba offers automotive-grade motor control drivers. Toshiba automotive devices are AEC-Q100 and AEC-Q101 qualified.

Automotive AEC-Q101 Qualified Power MOSFETs

Toshiba Automotive AEC-Q101 Qualified Power MOSFETs is an extensive lineup of Power MOSFETs covering various automotive applications in 12V to 48V battery systems. Toshiba has been in the discrete automotive industry since the 1960s, starting with rectifiers and then Automotive MOSFETs in the 1990s. With performance and reliability, all of Toshiba’s automotive products go above and beyond AEC-Q101 standards.