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TK1R4F04PB,LXGQ

Name: Toshiba TK1R4F04PB,LXGQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK1R4F04PB,LXGQ
Price: 1508 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

757-TK1R4F04PB,LXGQ

Fabricante N.º:

TK1R4F04PB,LXGQ

Fabricante:

Toshiba

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101

Hoja de datos:

TK1R4F04PB,LXGQ Hoja de datos

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	₡1 125	₡11 250
	₡812	₡81 200
	₡783	₡391 500
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
	₡650	₡650 000
	₡638	₡1 276 000
	₡632	₡6 320 000

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-220SM-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	160 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.35 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	103 nC
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	205 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Toshiba
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	23 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	14 ns
Serie:	U-MOSIX-H
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	82 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	47 ns
Alias de las piezas n.º:	TK1R4F04PB,LXGQ(O
Peso de la unidad:	1,070 g

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Atributos seleccionados: 0

                        
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Automotive products 
may be used as engineering samples, however; they are not intended for 
volume automotive production or reliability testing without prior 
approval by Toshiba Semiconductor and Storage. 
Please contact a Mouser Technical Sales Representative for 
further assistance.
5-0320-2

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Automotive U-MOSIX-H Power MOSFETs

Toshiba Automotive U-MOSIX-H Power MOSFETs are 40V N-channel power MOSFETs ideal for automotive applications. These devices are housed in a small, low-resistance SOP Advance (WF) package. They feature low on-resistance, which can reduce conduction loss. The U-MOSIX-H series also lowers switching noise compared with Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation’s previous series (U-MOSIV).

Automotive Devices

Toshiba Automotive Devices offer an extensive lineup of MOSFETs, optical isolation, transistors, and diodes, to cover various automotive applications in 12V to 48V battery systems. In addition, Toshiba offers automotive-grade motor control drivers. Toshiba automotive devices are AEC-Q100 and AEC-Q101 qualified.

Automotive AEC-Q101 Qualified Power MOSFETs

Toshiba Automotive AEC-Q101 Qualified Power MOSFETs is an extensive lineup of Power MOSFETs covering various automotive applications in 12V to 48V battery systems. Toshiba has been in the discrete automotive industry since the 1960s, starting with rectifiers and then Automotive MOSFETs in the 1990s. With performance and reliability, all of Toshiba’s automotive products go above and beyond AEC-Q101 standards.

U-MOSIX-H Low Voltage Enhancement Mode MOSFETs

Toshiba U-MOSIX-H Low Voltage N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are high-efficiency MOSFETs that are specifically designed for use in the secondary side of AC-DC power supplies. This includes notebook PC adapters, game consoles, servers, desktop PCs, flat-panel displays. It also includes DC-DC power supplies for communication equipment, servers and data centers. They feature high-speed switching, small gate charge, and low drain-source on-resistance. These MOSFETs are fabricated with the latest Gen-8 and Gen-9 trench MOS processes. The U-MOSIX-H Low Voltage MOSFETs will help improve the efficiency of power supplies.
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