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TSM6502CR RLG

Name: Taiwan Semiconductor TSM6502CR RLG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSM6502CRRLG
Price: 911 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

821-TSM6502CRRLG

Fabricante N.º:

TSM6502CR RLG

Fabricante:

Taiwan Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 24A, -60V, -18A, Complementary N & P-Channel Power MOSFET

Hoja de datos:

TSM6502CR RLG Hoja de datos

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡911	₡911
	₡574	₡5 740
	₡383	₡38 300
	₡302	₡151 000
	₡275	₡275 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	₡247	₡617 500
	₡220	₡1 100 000
	₡218	₡2 180 000

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Taiwan Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PDFN-56-8
Polaridad del transistor:	N-Channel, P-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	5.4 A, 4 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	28 mOhms, 73 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.2 V
Qg - Carga de puerta:	20.8 nC, 9.5 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	40 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Taiwan Semiconductor
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	18 ns, 44 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	25 ns, 28 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel, 1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	18 ns, 44 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	7.4 ns, 4 ns
Alias de las piezas n.º:	TSM6502CR
Peso de la unidad:	372,608 mg

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Models

RoHS Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

TSM N- & P-Channel MOSFETs

Taiwan Semiconductor TSM N- and P-Channel MOSFETs are RoHS compliant with low gate charges for fast power switching. These MOSFETs are halogen-free and 100% UIS- and R_gtested. The TSM N- and P-channel MOSFETs operate at -55°C to 150°C junction temperature range. These MOSFETs are ideally used in load switch power management, portable devices, DC-DC converters, and power routing.