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TSM8568CV RGG

Name: Taiwan Semiconductor TSM8568CV RGG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSM8568CVRGG
Price: 650 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

821-TSM8568CVRGG

Fabricante N.º:

TSM8568CV RGG

Fabricante:

Taiwan Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V, -4.5A, Complementary P-Channel Power MOSFET;30V, 5.7A N-Channel

Hoja de datos:

TSM8568CV RGG Hoja de datos

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₡-

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡650	₡650
	₡405	₡4 050
	₡266	₡26 600
	₡206	₡103 000
	₡171	₡171 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)
	₡153	₡765 000
	₡136	₡1 360 000
	₡135	₡3 375 000

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Taiwan Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PDFN33-8
Polaridad del transistor:	N-Channel, P-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	4.5 A, 5.7 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	17 mOhms, 33 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	16 nC, 21 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	4.2 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Taiwan Semiconductor
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	5.2 ns, 46 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	4.4 S, 5.8 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	25 ns ,38 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	22 ns, 50 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	5.8 ns, 6.2 ns
Alias de las piezas n.º:	TSM8568CV
Peso de la unidad:	28 mg

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TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

TSM N- & P-Channel MOSFETs

Taiwan Semiconductor TSM N- and P-Channel MOSFETs are RoHS compliant with low gate charges for fast power switching. These MOSFETs are halogen-free and 100% UIS- and R_gtested. The TSM N- and P-channel MOSFETs operate at -55°C to 150°C junction temperature range. These MOSFETs are ideally used in load switch power management, portable devices, DC-DC converters, and power routing.