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UT6JC5TCR

Name: ROHM Semiconductor UT6JC5TCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-UT6JC5TCR
Price: 661.41 CRC
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

755-UT6JC5TCR

Fabricante N.º:

UT6JC5TCR

Fabricante:

ROHM Semiconductor

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡661,41	₡661,41
	₡414,19	₡4 141,90
	₡272,70	₡27 270,00
	₡217,40	₡108 700,00
	₡192,46	₡192 460,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡166,98	₡500 940,00
	₡163,73	₡982 380,00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-2020-8D
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	2.5 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	280 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1 V
Qg - Carga de puerta:	6.3 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	2 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TH
Tiempo de caída:	18 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	5 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 P - Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	42 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	7.4 ns
Alias de las piezas n.º:	UT6JC5