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VSMY2850G

Name: Vishay VSMY2850G
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 782-VSMY2850G
Price: 481 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

782-VSMY2850G

Fabricante N.º:

VSMY2850G

Fabricante:

Vishay Semiconductors

Descripción:

Emisores infrarrojos SurflightVCSEL 850nm 100mW/sr, +/-10deg.

Hoja de datos:

VSMY2850G Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 6000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡481	₡481
	₡349	₡3 490
	₡267	₡26 700
	₡221	₡110 500
	₡205	₡205 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 6000)
	₡164	₡984 000
	₡156	₡1 872 000

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Emisores infrarrojos
RoHS:
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay Semiconductors
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	IR Emitters (IR LEDs)
Cantidad de empaque de fábrica:	6000
Subcategoría:	Infrared Data Communications
Nombre comercial:	SurfLight
Peso de la unidad:	294,108 mg

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CNHTS:: 8541410090
USHTS:: 8541410000
TARIC:: 8541410000
ECCN:: EAR99

VSMY2850x High-Speed IR Emitting Diodes

Vishay Semiconductors VSMY2850x High-Speed IR Emitting Diodes feature a peak wavelength of 850nm based on GaAlAs surface emitter chip technology. These diodes feature high optical power, high radiant intensities, and high speed. The VSMY2850x diodes are molded in clear and untinted plastic packages (with lens) for surface mounting. Vishay Semiconductors VSMY2850x High-Speed IR Emitting Diodes are ideal for IrDA-compatible data transmission, miniature light barriers, photo interrupters, optical switches, IR touch panels, and more.

SurfLight™ IR Emitters

Vishay Semiconductors SurfLight™ Infrared (IR) Emitters feature 850nm or 940nm peak wavelength, GaAlAs surface emitter chip technology, high radiant power, high optical power, and high speed. SurfLight IR emitters have gullwing or reverse gullwing terminal configurations and are suitable for high pulse current operation. The 940nm IR emitters have a narrower half-degree angle of intensity and better response times for applications. These Vishay compared to the previous generation of IR emitters.

IR Emitters & Silicon PIN Photodiode

Vishay Semiconductors IR Emitters and Silicon PIN Photodiodes feature an 830nm to 950nm wavelength range with high radiant sensitivity from 1mW/sr to 1800mW/sr. These emitters provide double heterojunction infrared emitters with the lowest forward voltages and highly efficient homojunction emitters. The photodiodes offer the broadest selection of high-speed, low-dark current PIN photodiodes that are specifically designed to achieve excellent sensitivity together with high reliability.

VSMY High Speed IR Emitting Diodes

Vishay Semiconductors VSMY High Speed IR Emitting Diodes are infrared, 850nm-emitting diodes based on surface emitter technology with high radiant intensity, high optical power, and high speed. Vishay Semiconductors VSMY Series High-Speed IR Emitting Diodes come in four package forms, the PLCC-2, Gull Wing, Reverse Gull Wing, and 0805, all but the first of which are molded in clear, untinted plastic packages. All of these diodes are designed for surface mounting and are suitable for high pulse current operation.

High-Power, High-Speed Infrared Emitters

Vishay VSMB294x/VSMY2853 High-Speed, High-Power Infrared Emitters consist of an adapted lens radius to provide wide ±25° and ±28° angles of half intensity. The resulting typical radiant intensity ranges from 20mW/sr to 35mW/sr at a 100mA drive current. Saving space over lensed PLCC2 solutions, the IR emitters are available in compact top-view 2.3mm x 2.3mm x 2.5mm gullwing and reverse gullwing packages, and 2.3mm x 2.55mm x 2.3mm side-view packages. These offer fast switching speeds and low forward voltages, as the Vishay devices feature GaAIAs surface emitter chip (VSMY2853), double hetero (VSMF2893), and multi-quantum well (VSMB2943, VSMB2948) technologies.