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WST41H0D-GP4

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Mouser N.º:

937-WST41H0D-GP4

Fabricante N.º:

WST41H0D-GP4

Fabricante:

MACOM

Descripción:

GaN FETs Die, DC - 4 GHz, 120W, G28V5-1C

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Lo nuevo de este fabricante.

Hoja de datos:

WST41H0D-GP4 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	MACOM
Categoría de producto:	GaN FETs
Restricciones de envío:	Mouser actualmente no vende este producto en su región.
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	84 V
Id - Corriente de drenaje continua:	6 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	60 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 2 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	- 2 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Marca:	MACOM
Configuración:	Single
Ganancia:	17.5 dB
Frecuencia de trabajo máxima:	4 GHz
Frecuencia de trabajo mínima:	0 Hz
Potencia de salida:	223.87 W
Producto:	GaN FETs
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad de empaque de fábrica:	10
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN, SiC
Tipo:	GaN on SiC Transistor

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Hoja de datos

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Códigos de cumplimiento

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: 3A001.b.3.a.4

Clasificaciones de origen

País de origen:: Estados Unidos
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

GaN on SiC Transistors

MACOM GaN on SiC Transistors are next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power in the same compact footprint. These transistors feature 28V operating voltage, up to 8GHz frequency, high efficiency, and high breakdown voltage. The GaN on SiC transistors support high power, gain, and efficiency, while keeping the same footprint, versus previous generations. These transistors are 100% pass-biased JEDEC HAST (JESD22-A110E) and pass-Highly Accelerated Temperature and Humidity Stress Test (HAST). The GaN on SiC transistors are ideal for 2-way private radio, broadband amplifiers, cellular infrastructure, test instrumentation, and general amplification.