Linear Integrated Systems Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Linear Integrated Systems Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Speed N-Channel Lateral DMOS JFET Switch With Zener Diode Protection
Hoja de datos
829En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOT-143-4 N-Channel 1 Channel 30 V 50 mA 50 Ohms - 30 V, 25 V 1.5 V - 55 C + 125 C 300 mW Enhancement Cut Tape
Linear Integrated Systems Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Speed N-Channel Lateral DMOS JFET Switch
Hoja de datos
103En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOT-143-4 N-Channel 1 Channel 30 V 50 mA 50 Ohms - 40 V, 40 V 1.5 V - 55 C + 125 C 300 mW Enhancement Cut Tape
Linear Integrated Systems Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Speed N-Channel Lateral DMOS JFET Switch With Zener Diode Protection
Hoja de datos
26En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOT-143-4 N-Channel 1 Channel 20 V 50 mA 50 Ohms - 25 V, 30 V 1.5 V - 55 C + 125 C 300 mW Enhancement Cut Tape
Linear Integrated Systems Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Speed N-Channel Lateral DMOS JFET Switch
Hoja de datos
70En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOT-143-4 N-Channel 1 Channel 20 V 50 mA 50 Ohms - 40 V, 40 V 1.5 V - 55 C + 125 C 300 mW Enhancement Cut Tape
Linear Integrated Systems Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Speed N-Channel Lateral DMOS JFET Switch With Zener Diode Protection
Hoja de datos
Plazo de entrega 12 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOT-143-4 N-Channel 1 Channel 10 V 50 mA 50 Ohms - 15 V, 25 V 1.5 V - 55 C + 125 C 300 mW Enhancement Cut Tape
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No en existencias
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT SOT-143-4 N-Channel 1 Channel 30 V 50 mA 50 Ohms - 40 V, 40 V 1.5 V - 55 C + 125 C 300 mW Enhancement Reel
Linear Integrated Systems Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Speed N-Channel Lateral DMOS JFET Switch With Zener Diode Protection
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT SOT-143-4 N-Channel 1 Channel 30 V 50 mA 50 Ohms - 30 V, 25 V 1.5 V - 55 C + 125 C 300 mW Enhancement Reel
Linear Integrated Systems Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Speed N-Channel Lateral DMOS JFET Switch With Zener Diode Protection
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT SOT-143-4 N-Channel 1 Channel 10 V 50 mA 50 Ohms - 15 V, 25 V 1.5 V - 55 C + 125 C 300 mW Enhancement Reel
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Hoja de datos
No en existencias
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT SOT-143-4 N-Channel 1 Channel 20 V 50 mA 50 Ohms - 40 V, 40 V 1.5 V - 55 C + 125 C 300 mW Enhancement Reel
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No en existencias
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT SOT-143-4 N-Channel 1 Channel 20 V 50 mA 50 Ohms - 25 V, 30 V 1.5 V - 55 C + 125 C 300 mW Enhancement Reel