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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
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Toshiba Reguladores de tensión LDO LDO Reg 1.8V 300MA 4DFNC
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS 1100 pF 29W PD -15A -40V
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) MOQ=2000 PD=80W F=1MHZ
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3 371En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=375W F=1MHZ AEC-Q101
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Toshiba Optoacopladores de salida de transistores X36 PBF Trans Opto couplr 125C3750Vrms
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65 640En existencias
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Toshiba Optoacopladores de salida de transistores 50mA 80V 3750Vrms 50mA 1 Circuit
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17 304En existencias
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Toshiba Optoacopladores de salida MOSFET Photorelay; RoHS; VDE 1 834En existencias
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Toshiba Optoacopladores de salida Triac y SCR Photocoupler Phototriac Output
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Toshiba Optoacopladores de salida de transistores 4ch Transistor opto coupler
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10 089En existencias
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Toshiba Optoacopladores de salida MOSFET Photorelay; Low CR; High Temp; 4-Ch
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Toshiba Optoacopladores de salida MOSFET Photorelay 3.0A 100V 2500Vrms 720pF 5mA
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Toshiba Optoacopladores de salida de transistores Photocoupler 350V .05A 5000Vrms
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12 124En existencias
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Toshiba Controladores de puerta con aislamiento óptico GATE DRIVER COUPLER
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4 248En existencias
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Toshiba Controladores de puerta con aislamiento óptico GATE DRIVE COUPLER
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2 785En existencias
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Toshiba Controladores de puerta con aislamiento óptico Photocoupler, Photo IC Output
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Toshiba Controladores de puerta con aislamiento óptico Gate Drive Coupler; 1A; High Temp; RoHS
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Toshiba Optoacopladores de salida de transistores DCINPUT PHOTOCOUPLER
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR
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26 398En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 2970pF 41nC 33A 30W
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26 135En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 21A 27W UMOSVIII 680pF 11nC
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22 109En existencias
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Toshiba Diodos de varactor Variable Cap Diode 10V Vr 4.3 0.4ohm
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Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP Transistor -50V USM -0.15A -0.3V
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108 994En existencias
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Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Transistor Lo Freq 0.15A 50V
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