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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 12V 5.1A

SI2333CDS-T1-BE3
Vishay / Siliconix
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SI5457DC-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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SIA437DJ-T1-GE3
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SIS110DN-T1-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 20V Vds SOT-363

SQ1922AEEH-T1_GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQ3419AEEV-T1_BE3
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SQ3427EV-T1_GE3
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SQ3989EV-T1_GE3
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SQ4064EY-T1_BE3
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SQ4153EY-T1_GE3
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SQ4920EY-T1_GE3
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SQ4920EY-T1_GE3

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SQD50034E_GE3
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SQD50034E_GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified

SQJ401EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 60A Id AEC-Q101 Qualified

SQJ860EP-T1_GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 80V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJB90EP-T1_GE3
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SQS407ENW-T1_GE3
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SQS407ENW-T1_GE3

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SQS481ENW-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡806,20
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SQS481ENW-T1_GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQS660CENW-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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