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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
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29 085En existencias
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Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 12 V 25 A 5.1 mOhms - 8 V, 8 V 900 mV 101 nC - 55 C + 175 C 7.1 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified
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92 364En existencias
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 P-Channel 1 Channel 150 V 4.7 A 1.095 Ohms - 20 V, 20 V 3 V 8 nC - 55 C + 175 C 62.5 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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47 010En existencias
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: 2 500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 30 V 30 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 113 nC - 55 C + 175 C 7 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified
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47 849En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 P-Channel 1 Channel 30 V 60 A 4.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 169 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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21 440En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 P-Channel 1 Channel 30 V 30 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 109 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V (D-S) -/+20V AEC-Q101 Qualified
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295 656En existencias
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Si SMD/SMT SOT-363-6 P-Channel 1 Channel 60 V 1.6 A 230 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 5.4 nC - 55 C + 100 C 2.7 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds TO-252 AEC-Q101 Qualified
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56 018En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 20 A 55 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 27 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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77 505En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 P-Channel 1 Channel 40 V 55 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 80 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L
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21 242En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 P-Channel 1 Channel 30 V 30 A 9.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 100 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds TSOP-6 AEC-Q101 Qualified
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21 665En existencias
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Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 1 Channel 40 V 6.9 A 48 mOhms - 12 V, 12 V 1.5 V 12.5 nC - 55 C + 175 C 5 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V(D-S)175C MOSFET N-CHANNEL PowerPAK
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5 181En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8W-8 N-Channel 1 Channel 40 V 12 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 175 C 33 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified
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26 860En existencias
27 000En pedido
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 P-Channel 1 Channel 40 V 60 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 170 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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60 353En existencias
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8L-4 P-Channel 1 Channel 60 V 52 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 73 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified
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306 379En existencias
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Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 1 Channel 60 V 5.3 A 95 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 15.3 nC - 55 C + 175 C 5 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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306 007En existencias
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Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 1 Channel 60 V 5.3 A 95 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 15.3 nC - 55 C + 175 C 5 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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123 693En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 P-Channel 1 Channel 60 V 36 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 65 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -40V Vds AEC-Q101 Qualified
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11 429En existencias
14 400Se espera el 31/8/2026
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: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 40 V 120 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 800 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds; +/-20V Vgs TO-252; -50A Id
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6 116En existencias
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Máx.: 2 000
: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 50 A 8.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 210 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified
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24 670En existencias
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Min.: 1
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Máx.: 2 000
: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 50 A 11.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 76 nC - 55 C + 175 C 62 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L
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6 383En existencias
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Min.: 1
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Máx.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 P-Channel 1 Channel 40 V 30 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 95 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds; +/-20V Vgs TO-263; -100A Id
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3 370En existencias
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Máx.: 1 600
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 40 V 100 A 5.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 185 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
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5 876En existencias
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Min.: 1
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: 2 500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 12 V 15 A 13 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 29 nC - 55 C + 175 C 6 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -80V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L
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7 670En existencias
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 P-Channel 1 Channel 80 V 16 A 80 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 50 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds; +/-8V Vgs PowerPAK SC-70-6L
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2 659En existencias
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: 3 000

Si SMD/SMT SC-70-6 P-Channel 1 Channel 20 V 2.68 A 113 mOhms - 8 V, 8 V 1.5 V 5.3 nC - 55 C + 175 C 13.6 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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565En existencias
21 000En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 1 Channel 40 V 6.9 A 48 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 7.5 nC - 55 C + 175 C 5 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel