Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V (D-S) -/+20V AEC-Q101 Qualified

SQ1421EDH-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQ1421EDH-T1_GE3

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+ 100 C

2.7 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ3427EV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ4153EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQ4153EY-T1_GE3

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AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

SQS481ENW-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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3 V

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+ 175 C

62.5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds TO-252 AEC-Q101 Qualified

SQD19P06-60L_T4GE3
Vishay Semiconductors
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SQD19P06-60L_T4GE3

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78-SQD19P06-60LT4GE3

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20 A

55 mOhms

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2.5 V

27 nC

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+ 175 C

46 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ403EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ403EP-T1_GE3

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SQ4483EY-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQ4483EY-T1_GE3

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AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

SQJ407EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQJ407EP-T1_GE3

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68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L

SQJA37EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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30 A

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45 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 50A 136W AEC-Q101 Qualified

SQD50P06-15L_GE3
Vishay / Siliconix
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SQD50P06-15L_GE3

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78-SQD50P06-15L_GE3

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50 A

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136 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds TSOP-6 AEC-Q101 Qualified

SQ3419AEEV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡655,79
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SQ3419AEEV-T1_GE3

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78-SQ3419AEEV-T1_GE3

Vishay / Siliconix

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TSOP-6

P-Channel

1 Channel

40 V

6.9 A

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1.5 V

12.5 nC

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+ 175 C

5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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SQ4005EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQ4005EY-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4005EY-T1_GE3

Vishay / Siliconix

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₡272,72

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SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

12 V

15 A

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- 8 V, 8 V

1 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

6 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V(D-S)175C MOSFET N-CHANNEL PowerPAK

SQS840CENW-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡614,15
5 331En existencias

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SQS840CENW-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQS840CENW-T1_GE3

Vishay / Siliconix

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₡164,99

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SMD/SMT

PowerPAK-1212-8W-8

N-Channel

1 Channel

40 V

12 A

20 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15 nC

- 55 C

+ 175 C

33 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified

SQD40131EL_GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡1 056,54
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SQD40131EL_GE3

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78-SQD40131EL_GE3

Vishay / Siliconix

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₡302,39

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

50 A

11.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

76 nC

- 55 C

+ 175 C

62 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ459EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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46 451En existencias
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SQJ459EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ459EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

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₡1 113,80

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₡318,00

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PowerPAK-SO-8L-4

P-Channel

1 Channel

60 V

52 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ3427AEEV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡645,38
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SQ3427AEEV-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ3427AEEV-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified

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₡645,38

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₡207,15

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₡162,91

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SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

60 V

5.3 A

95 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15.3 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ423EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡921,22
81 350En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ423EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ423EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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₡244,10

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

40 V

55 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

80 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -100Vds 20Vgs

SQM120P10_10M1LGE3
Vishay Semiconductors
1: ₡2 664,78
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N.º de artículo del Fabricante
SQM120P10_10M1LGE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQM120P1010M1LGE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -100Vds 20Vgs

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₡2 664,78

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₡1 035,73

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

P-Channel

1 Channel

100 V

120 A

8.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

190 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V PowerPAK SC-70 AEC-Q101 Qualified

SQA401EJ-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡645,38
12 003En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQA401EJ-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQA401EJ-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V PowerPAK SC-70 AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

₡645,38

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₡148,33

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P-Channel

1 Channel

20 V

3.75 A

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D2PAK-3 (TO-263-3)

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4.8 mOhms
5.1 mOhms
6.4 mOhms
7 mOhms
7.1 mOhms
8.1 mOhms
8.5 mOhms
9.2 mOhms
11.5 mOhms
13 mOhms
13.5 mOhms
14 mOhms
15.5 mOhms
18 mOhms
20 mOhms
25 mOhms
33 mOhms
48 mOhms

3.4 nC
5.3 nC
5.4 nC
7.5 nC
8 nC
9 nC
12.5 nC
15 nC
15.3 nC
27 nC
29 nC
50 nC
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73 nC
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80 nC
90 nC
95 nC
100 nC
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