D3 EliteSiC Diodes

onsemi D3 EliteSiC Diodes are a solution for applications requiring high-power PFC and output rectification. The onsemi D3 has a maximum voltage rating of 1200V. These diodes come in two package options, TO-247-2LD and TO-247-3LD, providing flexibility for various designs. The D3 EliteSiC Diodes are optimized for high-temperature operation with low series-resistance temperature dependency, ensuring consistent and reliable performance even under extreme conditions.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Configuración
If - Corriente directa
Vrrm - Tensión inversa repetitiva
Vf - Tensión directa
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo
Ir - Corriente inversa
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado

onsemi Diodos Schottky de SiC Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 50 A, 1200 V, D3, TO-247-2L
Hoja de datos
463En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 50 A 1.2 kV 1.4 V 231 A 200 uA - 55 C + 175 C NDSH50120C Tube

onsemi Diodos Schottky de SiC SIC DIODE GEN20 1200V TO247-2L
Hoja de datos
593En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 26 A 1.2 kV 1.75 V 119 A 2.06 uA - 55 C + 175 C NDSH20120C-F155 Tube
onsemi Diodos Schottky de SiC Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 40 A, 1200 V, D3, TO-247-3L
Hoja de datos
1 198En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3LD Dual Anode Common Cathode 52 A 1.2 kV 1.36 V 123 A 2.39 uA - 55 C + 175 C NDSH40120CDN Tube

onsemi Diodos Schottky de SiC SIC DIODE GEN20 1200V TO247-2L
Hoja de datos
1 266En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 12 A 1.2 kV 1.75 V 546 A 200 uA - 55 C + 175 C NDSH10120C-F155 Tube
onsemi Diodos Schottky de SiC SIC DIODE GEN20 1200V TO247-3L
Hoja de datos
400En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 24 A 1.2 kV 1.75 V 59 A 1 uA - 55 C + 175 C NDSH20120CDN Tube
onsemi Diodos Schottky de SiC SIC DIODE GEN20 1200V TO247-3L
Hoja de datos
382En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 38 A 1.2 kV 1.75 V 91 A 1.5 uA - 55 C + 175 C NDSH30120CDN Tube

onsemi Diodos Schottky de SiC SIC DIODE GEN20 1200V TO247-2L
Hoja de datos
865En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 46 A 1.2 kV 1.75 V 195 A 9 uA - 55 C + 175 C NDSH40120C-F155 Tube
onsemi Diodos Schottky de SiC Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 20A, 1200V, D3, TO-247-2L
Hoja de datos
450En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 20 A 1.2 kV 1.38 V 119 A 200 uA - 55 C + 175 C NVDSH20120C Tube

onsemi Diodos Schottky de SiC Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 20 A, 1200 V, D3, TO-247-2L
Hoja de datos
174En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 20 A 1.2 kV 1.38 V 119 A 200 uA - 55 C + 175 C NDSH20120C Tube

onsemi Diodos Schottky de SiC SIC DIODE GEN20 1200V TO247-2L
Hoja de datos
900Se espera el 17/2/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 38 A 1.2 kV 1.75 V 161 A 5 uA - 55 C + 175 C NDSH30120C-F155 Tube
onsemi Diodos Schottky de SiC Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 50A, 1200V, D3, TO-247-2L
Hoja de datos
900Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 450
Mult.: 450

Through Hole TO-247-2 Single 50 A 1.2 kV 1.4 V 231 A 200 uA - 55 C + 175 C NVDSH50120C Tube