Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

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Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK+ PD=180W F=1MHZ

TJ90S04M3L,LQ
Toshiba
1: ₡1 675,20
5 908En existencias

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TJ90S04M3L,LQ

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757-TJ90S04M3LLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK+ PD=180W F=1MHZ

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₡1 675,20

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₡590,93

Envase tipo carrete

₡552,98

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

90 A

4.3 mOhms

- 20 V, 10 V

1 V

172 nC

- 55 C

+ 175 C

180 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch -30V FET 1650pF -7A 1.9W

TPC8132,LQ(S
Toshiba
1: ₡916,21
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TPC8132,LQ(S

N.º de artículo de Mouser
757-TPC8132LQS

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch -30V FET 1650pF -7A 1.9W

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Cinta cortada

₡916,21

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₡387,09

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Envase tipo carrete

₡253,72

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: 2 500

SMD/SMT

SOP-8

P-Channel

1 Channel

40 V

7 A

33 mOhms

- 25 V, 20 V

2 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

1.9 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR PS-8 V=-40 PD=2.01W F=1MHZ

TPCP8107,LF
Toshiba
1: ₡596,35
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TPCP8107,LF

N.º de artículo de Mouser
757-TPCP8107LF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR PS-8 V=-40 PD=2.01W F=1MHZ

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₡596,35

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₡157,76

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: 3 000

SMD/SMT

PS-8

P-Channel

1 Channel

40 V

8 A

18 mOhms

- 20 V, 10 V

2 V

44.6 nC

- 55 C

+ 175 C

2.01 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI

TPH1R712MD,L1Q
Toshiba
1: ₡1 176,44
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TPH1R712MD,L1Q

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757-TPH1R712MDL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI

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₡508,52

₡404,43

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Envase tipo carrete

₡332,33

MouseReel Disponible

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: 5 000

SMD/SMT

SOP-8

P-Channel

1 Channel

20 V

60 A

1.7 mOhms

- 12 V, 12 V

500 mV

182 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI

TPN4R712MD,L1Q
Toshiba
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8 197En existencias
15 000Se espera el 12/11/2026

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TPN4R712MD,L1Q

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757-TPN4R712MDL1Q

Toshiba

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Cinta cortada

₡715,62

₡449,43

₡296,01

₡230,41

Envase tipo carrete

₡171,32

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Min.: 1
Mult.: 1

: 5 000

SMD/SMT

TSON-8

P-Channel

1 Channel

20 V

36 A

4.7 mOhms

- 12 V, 12 V

500 mV

65 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -5.4A, VDSS -12V

SSM3J132TU,LF
Toshiba
1: ₡417,45
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SSM3J132TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J132TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -5.4A, VDSS -12V

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₡417,45

₡260,23

₡168,06

₡127,94

Envase tipo carrete

₡95,42

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

UFM-3

P-Channel

1 Channel

12 V

5.4 A

14 mOhms

- 6 V, 6 V

1 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-4.4A

SSM3J140TU,LF
Toshiba
1: ₡422,87
1 760En existencias

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SSM3J140TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J140TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-4.4A

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₡168,60

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₡98,67

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Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

UFM-3

P-Channel

1 Channel

20 V

4.4 A

25.8 mOhms

- 8 V, 6 V

1 V

24.8 nC

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-5.5A

SSM3J143TU,LF
Toshiba
1: ₡314,44
4 762En existencias

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SSM3J143TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J143TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-5.5A

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₡314,44

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₡123,07

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Envase tipo carrete

₡70,48

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

UFM-3

P-Channel

1 Channel

20 V

5.5 A

29.8 mOhms

- 8 V, 6 V

1 V

12.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOSVI FET ID -4A -20VDSS 630pF

SSM3J331R,LF
Toshiba
1: ₡200,59
19 877En existencias

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SSM3J331R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J331RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOSVI FET ID -4A -20VDSS 630pF

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₡200,59

₡123,61

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₡41,20

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

4 A

150 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

10.4 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -2A, VDSS -30V

SSM3J353F,LF
Toshiba
1: ₡227,70
5 744En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J353F,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J353FLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -2A, VDSS -30V

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Cinta cortada

₡227,70

₡139,33

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Envase tipo carrete

₡55,84

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

SOT-346-3

P-Channel

1 Channel

30 V

2 A

125 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

3.4 nC

- 55 C

+ 150 C

1.2 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -60V -2A AECQ MOSFET

SSM3J356R,LXHF
Toshiba
1: ₡352,39
149En existencias
9 000Se espera el 21/9/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J356R,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J356RLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -60V -2A AECQ MOSFET

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9 000Se espera el 21/9/2026

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₡352,39

₡217,94

₡139,33

₡105,17

Envase tipo carrete

₡93,79

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

60 V

2 A

360 mOhms

- 20 V, 10 V

2 V

8.3 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -30V -6A AECQ MOSFET

SSM3J372R,LXHF
Toshiba
1: ₡336,13
2 736En existencias
6 000Se espera el 18/5/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J372R,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J372RLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -30V -6A AECQ MOSFET

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Cinta cortada

₡336,13

₡207,64

₡132,82

₡100,30

Envase tipo carrete

₡75,90

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

30 V

6 A

42 mOhms

- 12 V, 6 V

1.2 V

8.2 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -20V -2A AECQ MOSFET

SSM3J375F,LXHF
Toshiba
1: ₡227,70
4 824En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J375F,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J375FLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -20V -2A AECQ MOSFET

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Cinta cortada

₡227,70

₡156,68

₡101,38

₡75,90

Envase tipo carrete

₡55,30

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Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

S-Mini-3

P-Channel

1 Channel

20 V

2 A

150 mOhms

- 8 V, 6 V

1 V

4.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.9A

SSM3J377R,LF
Toshiba
1: ₡184,33
4 777En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J377R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J377RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.9A

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4 777En existencias

Cinta cortada

₡184,33

₡114,39

₡72,10

₡53,13

Envase tipo carrete

₡37,95

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

20 V

3.9 A

93 mOhms

- 8 V, 6 V

1 V

4.6 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A

SSM3J378R,LF
Toshiba
1: ₡216,85
5 548En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J378R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J378RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A

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5 548En existencias

Cinta cortada

₡216,85

₡134,45

₡84,57

₡63,43

Envase tipo carrete

₡45,54

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

20 V

6 A

29.8 mOhms

- 8 V, 6 V

1 V

12.8 nC

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-0.8A, RDS(ON)=0.39Ohm @ 4.5V, in VESM package

SSM3J66MFV,L3F
Toshiba
1: ₡178,91
19 490En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J66MFV,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J66MFVL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-0.8A, RDS(ON)=0.39Ohm @ 4.5V, in VESM package

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Cinta cortada

₡178,91

₡110,05

₡68,85

₡50,96

Envase tipo carrete

₡27,11

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Mult.: 1

: 8 000

SMD/SMT

VESM-3

P-Channel

1 Channel

20 V

800 mA

4 Ohms

- 8 V, 6 V

1 V

1.6 nC

- 55 C

+ 150 C

150 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-3.6A VDSS=-30V

SSM6J214FE(TE85L,F
Toshiba
1: ₡384,92
13 135En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6J214FE(TE85L,F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J214FETE85LF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-3.6A VDSS=-30V

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Hoja de datos

13 135En existencias

Cinta cortada

₡384,92

₡237,46

₡151,26

₡113,85

Envase tipo carrete

₡76,44

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4 000

SMD/SMT

SOT-563-6

P-Channel

1 Channel

30 V

3.6 A

50 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

7.9 nC

- 55 C

+ 150 C

700 mW

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOS VI FET ID -3.4A -20V 630pF

SSM6J215FE(TE85L,F
Toshiba
1: ₡292,75
2 818En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6J215FE(TE85L,F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J215FETE85LF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOS VI FET ID -3.4A -20V 630pF

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2 818En existencias

Cinta cortada

₡292,75

₡178,91

₡113,85

₡85,66

Envase tipo carrete

₡54,76

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Min.: 1
Mult.: 1

: 4 000

SMD/SMT

ES6-6

P-Channel

1 Channel

20 V

3.4 A

154 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

10.4 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=--4.8A VDSS=-12V

SSM6J216FE,LF
Toshiba
1: ₡346,97
2 774En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6J216FE,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J216FELF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=--4.8A VDSS=-12V

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2 774En existencias

Cinta cortada

₡346,97

₡212,52

₡136,62

₡103,55

Envase tipo carrete

₡67,23

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4 000

SMD/SMT

SOT-563-6

P-Channel

1 Channel

12 V

4.8 A

26 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

12.7 nC

- 55 C

+ 150 C

700 mW

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig P-CH MOS ID -6A -20V -8 VGSS

SSM6J503NU,LF
Toshiba
1: ₡319,86
5 630En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6J503NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J503NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig P-CH MOS ID -6A -20V -8 VGSS

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5 630En existencias

Cinta cortada

₡319,86

₡196,25

₡125,23

₡94,87

Envase tipo carrete

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6 A

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- 8 V, 8 V

1 V

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- 55 C

+ 150 C

1 W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSON-ADV MOQ=5000 PD=30W F=1MHZ

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3 A

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SSM3J327R,LF
Toshiba
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SOT-23F-3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-2A VDSS=-20V

SSM3J352F,LF
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S-Mini-3

P-Channel

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20 V

2 A

90 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

5.1 nC

- 55 C

+ 150 C

600 mW

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U-MOSVI

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Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

CST3-3
DPAK-3 (TO-252-3)
ES6-6
PS-8
S-Mini-3
SOP-8
SOT-23-3
SOT-23F-3
SOT-346-3
SOT-363-6
SOT-416-3
SOT-563-6
SOT-723-3
TSON-8
TSOP-6
UDFN-6
UDFN6B-6
UF-6
UFM-3
VESM-3

100 mA
400 mA
800 mA
1.4 A
2 A
2.6 A
3 A
3.2 A
3.4 A
3.5 A
3.6 A
3.9 A
4 A
4.4 A
4.8 A
5 A
5.4 A
5.5 A
6 A
7 A

1.7 mOhms
4.3 mOhms
4.7 mOhms
5.2 mOhms
6.3 mOhms
7.8 mOhms
9.1 mOhms
11.2 mOhms
13.8 mOhms
14 mOhms
15.3 mOhms
17 mOhms
18 mOhms
20 mOhms
21.8 mOhms
22.2 mOhms
22.5 mOhms
24.9 mOhms
25 mOhms
25.8 mOhms

1 nC
1.6 nC
2.7 nC
3 nC
3.4 nC
3.6 nC
3.6 nC, 6.74 nC
4.6 nC
4.7 nC
5.1 nC
5.9 nC
6.74 nC
7.9 nC
8.2 nC
8.3 nC
9.8 nC
10.4 nC
12.7 nC
12.8 nC
13.6 nC

150 mW
200 mW
500 mW
600 mW
700 mW
800 mW
1 W
1.2 W
1.9 W
2 W
2.01 W
2.5 W
3 W
5 W
27 W
29 W
30 W
41 W
42 W
68 W