Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 86

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-4A

SSM3J371R,LF
Toshiba
1: ₡206,01
89En existencias
3 000Se espera el 29/5/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J371R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J371RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-4A

Obtenga más información

Hoja de datos

Comentarios de Producto

89En existencias

3 000Se espera el 29/5/2026

Cinta cortada

₡206,01

₡127,94

₡80,78

₡60,18

Envase tipo carrete

₡42,83

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

20 V

4 A

55 mOhms

- 8 V, 6 V

300 mV

10.4 nC

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-2A

SSM3J375F,LF
Toshiba
1: ₡184,33
6 758En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J375F,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J375FLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-2A

Obtenga más información

Hoja de datos

Comentarios de Producto

6 758En existencias

Cinta cortada

₡184,33

₡114,39

₡72,10

₡53,13

Envase tipo carrete

₡37,95

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

S-Mini-3

P-Channel

1 Channel

20 V

2 A

150 mOhms

- 8 V, 6 V

1 V

4.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.2 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch MOSFET

SSM3J56ACT,L3F
Toshiba
1: ₡238,54
15 826En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J56ACT,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J56ACTL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

15 826En existencias

Cinta cortada

₡238,54

₡145,83

₡92,16

₡68,85

Envase tipo carrete

₡39,58

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 10 000

SMD/SMT

CST3-3

P-Channel

1 Channel

20 V

1.4 A

4 Ohms

- 8 V, 8 V

1 V

1.6 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 4A 30VDSS 200pF

SSM3K324R,LF
Toshiba
1: ₡260,23
3 332En existencias
21 000Se espera el 22/5/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K324R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K324RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 4A 30VDSS 200pF

Obtenga más información

Hoja de datos

3 332En existencias

21 000Se espera el 22/5/2026

Cinta cortada

₡260,23

₡158,85

₡99,75

₡74,27

₡66,14

Envase tipo carrete

₡48,25

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

N-Channel

1 Channel

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=20V

SSM3K345R,LF
Toshiba
1: ₡249,38
19 559En existencias
39 000Se espera el 29/5/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K345R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K345RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=20V

Obtenga más información

Hoja de datos

19 559En existencias

39 000Se espera el 29/5/2026

Cinta cortada

₡249,38

₡149,63

₡94,87

₡70,48

Envase tipo carrete

₡47,17

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

SOT-23F-3

N-Channel

1 Channel

20 V

4 A

25 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

3.6 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 0.8A 20VDSS 55pF

SSM3K56FS,LF
Toshiba
1: ₡189,75
9 232En existencias
60 000Se espera el 22/5/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K56FS,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K56FSLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 0.8A 20VDSS 55pF

Obtenga más información

Hoja de datos

9 232En existencias

60 000Se espera el 22/5/2026

Cinta cortada

₡189,75

₡114,93

₡72,10

₡53,67

Envase tipo carrete

₡39,03

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

SOT-416-3

N-Channel

1 Channel

20 V

800 mA

235 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

1 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOS VI FET ID -4A -20VDSS 500mW

SSM6J212FE,LF
Toshiba
1: ₡466,24
8 069En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6J212FE,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J212FELF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOS VI FET ID -4A -20VDSS 500mW

Obtenga más información

Hoja de datos

8 069En existencias

Cinta cortada

₡466,24

₡333,96

₡207,64

₡143,12

Envase tipo carrete

₡92,16

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4 000

SMD/SMT

ES6-6

P-Channel

1 Channel

20 V

4 A

94 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

14.1 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOS VI FET ID -2.6A -20V 290pF

SSM6J213FE(TE85L,F
Toshiba
1: ₡276,49
555En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6J213FE(TE85L,F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J213FETE85LF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOS VI FET ID -2.6A -20V 290pF

Obtenga más información

Hoja de datos

555En existencias

Cinta cortada

₡276,49

₡170,77

₡108,43

₡82,40

Envase tipo carrete

₡50,96

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4 000

SMD/SMT

ES6-6

P-Channel

1 Channel

20 V

2.6 A

250 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

4.7 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOS VI FET ID -6A -20V 1650pF

SSM6J414TU,LF
Toshiba
1: ₡330,70
1 042En existencias
3 000Se espera el 7/8/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM6J414TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J414TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOS VI FET ID -6A -20V 1650pF

Obtenga más información

Hoja de datos

1 042En existencias

3 000Se espera el 7/8/2026

Cinta cortada

₡330,70

₡203,30

₡130,11

₡98,67

Envase tipo carrete

₡78,07

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

UF-6

P-Channel

1 Channel

20 V

6 A

54 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

23.1 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-4.0A, RDS(ON)=0.0427Ohm @ 4.5V, in UF6 package

SSM6J422TU,LF
Toshiba
1: ₡287,33
3 473En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6J422TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J422TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-4.0A, RDS(ON)=0.0427Ohm @ 4.5V, in UF6 package

Obtenga más información

Hoja de datos

Comentarios de Producto

3 473En existencias

Cinta cortada

₡287,33

₡176,74

₡112,22

₡84,57

Envase tipo carrete

₡75,90

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

UF-6

P-Channel

1 Channel

20 V

4 A

42.7 mOhms

- 8 V, 6 V

1 V

12.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch SSM -5A -20V 12V VGSS 0.035Ohm

SSM6J771G,LF
Toshiba
1: ₡563,82
935En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6J771G,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J771GLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch SSM -5A -20V 12V VGSS 0.035Ohm

Obtenga más información

Hoja de datos

935En existencias

Cinta cortada

₡563,82

₡352,93

₡230,95

₡182,16

Envase tipo carrete

₡134,99

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

WCSP6C-6

P-Channel

2 Channel

20 V

5 A

26 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

9.8 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID=-6A VDSS=-20V

SSM6J801R,LF
Toshiba
1: ₡254,80
12 896En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6J801R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J801RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID=-6A VDSS=-20V

Obtenga más información

Hoja de datos

12 896En existencias

Cinta cortada

₡254,80

₡155,05

₡98,13

₡73,19

Envase tipo carrete

₡54,76

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

20 V

6 A

32.5 mOhms

- 8 V, 6 V

1 V

12.8 nC

- 55 C

+ 150 C

3 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET 2 in 1 Nch+Pch ID:4A

SSM6L61NU,LF
Toshiba
1: ₡379,50
3 582En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6L61NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6L61NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET 2 in 1 Nch+Pch ID:4A

Obtenga más información

Hoja de datos

3 582En existencias

Cinta cortada

₡379,50

₡234,20

₡150,71

₡114,39

Envase tipo carrete

₡81,32

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

UDFN-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

4 A

108 mOhms, 157 mOhms

- 12 V, - 8 V, 8 V, 12 V

400 mV, 500 mV

3.6 nC, 6.74 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

U-MOSVII-H / U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET 0.1A -0.1A 20V 2-in1

SSM6N16FUTE85LF
Toshiba
1: ₡216,85
5 885En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N16FUTE85LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N16FUTE85LF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET 0.1A -0.1A 20V 2-in1

Obtenga más información

Hoja de datos

5 885En existencias

Cinta cortada

₡216,85

₡132,28

₡83,49

₡73,73

Envase tipo carrete

₡49,33

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

100 mA

5.2 Ohms

- 10 V, 10 V

1.1 V

- 55 C

+ 150 C

200 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS

SSM6N57NU,LF
Toshiba
1: ₡357,81
3 697En existencias
12 000Se espera el 16/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N57NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N57NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS

Obtenga más información

Hoja de datos

3 697En existencias

12 000Se espera el 16/10/2026

Cinta cortada

₡357,81

₡219,57

₡140,96

₡106,26

Envase tipo carrete

₡80,78

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

N-Channel

2 Channel

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET 2 in 1 Nch ID: 4A

SSM6N61NU,LF
Toshiba
1: ₡406,60
293En existencias
6 000Se espera el 20/8/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N61NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N61NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET 2 in 1 Nch ID: 4A

Obtenga más información

Hoja de datos

Comentarios de Producto

293En existencias

6 000Se espera el 20/8/2026

Cinta cortada

₡406,60

₡250,47

₡161,01

₡122,52

Envase tipo carrete

₡109,51

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

UDFN-6

N-Channel

2 Channel

20 V

4 A

108 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

3.6 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig MOS 2 in 1 P-Ch -4A -20V 12V GS

SSM6P49NU,LF
Toshiba
1: ₡401,18
2 958En existencias
3 000Se espera el 28/8/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM6P49NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6P49NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig MOS 2 in 1 P-Ch -4A -20V 12V GS

Obtenga más información

Hoja de datos

2 958En existencias

3 000Se espera el 28/8/2026

Cinta cortada

₡401,18

₡246,67

₡158,85

₡120,35

Envase tipo carrete

₡92,16

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

UDFN-6

P-Channel

2 Channel

20 V

4 A

157 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS 33.8 mOhm 10V 10uA 2.0 to 3.0V

TJ10S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1: ₡1 089,70
1 231En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TJ10S04M3L(T6L1,NQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ10S04M3LT6L1NQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS 33.8 mOhm 10V 10uA 2.0 to 3.0V

Obtenga más información

Hoja de datos

Comentarios de Producto

1 231En existencias

Cinta cortada

₡1 089,70

₡693,94

₡466,78

₡369,74

Envase tipo carrete

₡309,02

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

10 A

33.8 mOhms

- 20 V, 10 V

3 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W

Enhancement

AEC-Q100

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS 1770pF 41W 36nC -15A -60V

TJ15S06M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1: ₡1 089,70
1 751En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TJ15S06M3L(T6L1,NQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ15S06M3LT6L1NQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS 1770pF 41W 36nC -15A -60V

Obtenga más información

Hoja de datos

Comentarios de Producto

1 751En existencias

Cinta cortada

₡1 089,70

₡693,94

₡466,78

₡369,74

Envase tipo carrete

₡311,73

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

15 A

63 mOhms

36 nC

41 W

AEC-Q100

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

TJ15S10M3,LQ
Toshiba
1: ₡878,26
1 326En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TJ15S10M3,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ15S10M3LQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Obtenga más información

Hoja de datos

1 326En existencias

₡878,26

₡552,98

₡365,40

₡288,96

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

100 V

15 A

130 mOhms

- 20 V, 10 V

4 V

69 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -20A -40V 41W 1850pF 0.0222

TJ20S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1: ₡1 089,70
281En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TJ20S04M3L(T6L1,NQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ20S04M3LT6L1NQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -20A -40V 41W 1850pF 0.0222

Obtenga más información

Hoja de datos

Comentarios de Producto

281En existencias

Cinta cortada

₡1 089,70

₡693,94

₡466,78

₡369,74

Envase tipo carrete

₡308,48

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

20 A

22.2 mOhms

41 W

AEC-Q100

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063

TJ60S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1: ₡1 127,65
1 126En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TJ60S04M3L(T6L1,NQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ60S04M3LT6L1NQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063

Obtenga más información

Hoja de datos

Comentarios de Producto

1 126En existencias

Cinta cortada

₡1 127,65

₡721,04

₡486,30

₡385,46

Envase tipo carrete

₡325,82

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

60 A

6.3 mOhms

- 20 V, 10 V

3 V

125 nC

- 55 C

+ 175 C

90 W

Enhancement

AEC-Q100

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112

TJ60S06M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1: ₡1 599,31
443En existencias
2 000Se espera el 16/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
TJ60S06M3L(T6L1,NQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ60S06M3LT6L1NQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112

Obtenga más información

Hoja de datos

Comentarios de Producto

443En existencias

2 000Se espera el 16/10/2026

Cinta cortada

₡1 599,31

₡954,16

₡699,36

₡596,35

₡569,24

Envase tipo carrete

₡558,40

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

60 A

11.2 mOhms

- 20 V, 10 V

2 V

156 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q100

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -60V -3.5A AECQ MOSFET

SSM3J351R,LXHF
Toshiba
1: ₡531,29
108 000Se espera el 8/6/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J351R,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J351RLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -60V -3.5A AECQ MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

Comentarios de Producto

108 000Se espera el 8/6/2026

Cinta cortada

₡531,29

₡331,25

₡215,23

₡165,35

Envase tipo carrete

₡128,49

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

60 V

3.5 A

164 mOhms

- 20 V, 10 V

2 V

15.1 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -20V -3.9A AECQ MOSFET

SSM3J377R,LXHF
Toshiba
1: ₡254,80
2 577En existencias
18 000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J377R,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J377RLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -20V -3.9A AECQ MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

Comentarios de Producto

2 577En existencias

18 000En pedido

Cinta cortada

₡254,80

₡155,05

₡98,67

₡73,73

Envase tipo carrete

₡53,67

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

20 V

3.9 A

93 mOhms

- 8 V, 6 V

1 V

4.6 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

CST3-3
DPAK-3 (TO-252-3)
ES6-6
PS-8
S-Mini-3
SOP-8
SOT-23-3
SOT-23F-3
SOT-346-3
SOT-363-6
SOT-416-3
SOT-563-6
SOT-723-3
TSON-8
TSOP-6
UDFN-6
UDFN6B-6
UF-6
UFM-3
VESM-3

100 mA
400 mA
800 mA
1.4 A
2 A
2.6 A
3 A
3.2 A
3.4 A
3.5 A
3.6 A
3.9 A
4 A
4.4 A
4.8 A
5 A
5.4 A
5.5 A
6 A
7 A

1.7 mOhms
4.3 mOhms
4.7 mOhms
5.2 mOhms
6.3 mOhms
7.8 mOhms
9.1 mOhms
11.2 mOhms
13.8 mOhms
14 mOhms
15.3 mOhms
17 mOhms
18 mOhms
20 mOhms
21.8 mOhms
22.2 mOhms
22.5 mOhms
24.9 mOhms
25 mOhms
25.8 mOhms

1 nC
1.6 nC
2.7 nC
3 nC
3.4 nC
3.6 nC
3.6 nC, 6.74 nC
4.6 nC
4.7 nC
5.1 nC
5.9 nC
6.74 nC
7.9 nC
8.2 nC
8.3 nC
9.8 nC
10.4 nC
12.7 nC
12.8 nC
13.6 nC

150 mW
200 mW
500 mW
600 mW
700 mW
800 mW
1 W
1.2 W
1.9 W
2 W
2.01 W
2.5 W
3 W
5 W
27 W
29 W
30 W
41 W
42 W
68 W