DIJ2A7N90

Diotec Semiconductor
637-DIJ2A7N90
DIJ2A7N90

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, ITO-220AB, N, 900V, 2.7A, 3.4 , 150C

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₡931,63 ₡931,63
₡728,65 ₡7 286,50
₡438,23 ₡43 823,00
₡433,55 ₡216 775,00
₡420,02 ₡420 020,00
₡371,09 ₡927 725,00
₡349,23 ₡1 746 150,00
₡301,35 ₡3 013 500,00
25 000 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Diotec Semiconductor
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Tube
Marca: Diotec Semiconductor
Tipo de producto: MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica: 50
Subcategoría: Transistors
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Códigos de cumplimiento
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET

Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET supports a drain‑source voltage of 900V and delivers 2.7A at 25°C continuous drain current. This MOSFET is designed using advanced trench technology and offers low on‑state resistance, low gate charge, and fast switching times. The DIJ2A7N90 MOSFET features 6.5A peak drain current and 174mJ avalanche-rated energy. This MOSFET is housed in an ITO‑220AB package and is RoHS compliant. Typical applications include DC/DC converters, power supplies, DC drives, and power tools.