Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Vishay / Siliconix
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SQJQ402E-T1_GE3

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78-SQJQ402E-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

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38 013En existencias

Cinta cortada

₡2 053

₡1 340

₡940

₡818

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Envase tipo carrete

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1 Channel

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150 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds +/-12V Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ1470AEH-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQ1470AEH-T1_GE3

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78-SQ1470AEH-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds +/-12V Vgs AEC-Q101 Qualified

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202 064En existencias

Cinta cortada

₡493

₡305

₡202

₡155

Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V Vds 20V Vgs TO-252

SQD50034E_GE3
Vishay / Siliconix
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N.º de artículo del Fabricante
SQD50034E_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQD50034E_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V Vds 20V Vgs TO-252

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31 107En existencias

₡1 270

₡812

₡552

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100 A

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Enhancement

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SQJ860EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ860EP-T1_GE3

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Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 60A Id AEC-Q101 Qualified

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Envase tipo carrete

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Enhancement

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TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

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SQJA64EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJA64EP-T1_GE3

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Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V Vds AEC-Q101 Qualified

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₡429

₡282

₡220

Envase tipo carrete

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15 A

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Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

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SQJA70EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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N.º de artículo del Fabricante
SQJA70EP-T1_GE3

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Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

₡702

₡442

₡291

₡227

Envase tipo carrete

₡179

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Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 160A Id AEC-Q101 Qualified

SQJQ100E-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQJQ100E-T1_GE3

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Vishay Semiconductors

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Cinta cortada

₡2 326

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₡1 079

₡969

₡928

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Enhancement

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TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

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SQJ444EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQJ444EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
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Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

₡882

₡579

₡409

₡368

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₡297

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Enhancement

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ416EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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119 341En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ416EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ416EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

₡870

₡551

₡367

₡288

₡262

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₡205

MouseReel Disponible

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Enhancement

AEC-Q101

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Reel, Cut Tape, MouseReel

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SQJ464EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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76 888En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ464EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ464EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 60-V (D-S) AEC-Q101 Qualified

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76 888En existencias

Cinta cortada

₡887

₡561

₡374

₡294

Envase tipo carrete

₡234

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32 A

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1.5 V

44 nC

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45 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

SQSA80ENW-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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9 688En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQSA80ENW-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQSA80ENW-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

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9 688En existencias

Cinta cortada

₡951

₡603

₡403

₡317

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₡254

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MouseReel Disponible

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18 A

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2 V

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+ 175 C

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Enhancement

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TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJQ480E-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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4 302En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ480E-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ480E-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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4 302En existencias

Cinta cortada

₡2 326

₡1 531

₡1 079

₡969

₡928

Envase tipo carrete

₡789

MouseReel Disponible

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PowerPAK-8x8-4

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Enhancement

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TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ4182EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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3 039En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4182EY-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4182EY-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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3 039En existencias

Cinta cortada

₡1 270

₡812

₡552

₡440

₡414

Envase tipo carrete

₡345

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

32 A

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- 20 V, 20 V

1.5 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

7.1 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 200A 375 AEC-Q101 Qualified

SQM200N04-1m7L_GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡2 488
2 393En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQM200N04-1m7L_GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SQM200N041M7LGE

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 200A 375 AEC-Q101 Qualified

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2 393En existencias

Cinta cortada

₡2 488

₡1 665

₡1 276

₡1 148

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₡974

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SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

200 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

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- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ4050EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡916
4 677En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4050EY-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4050EY-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

₡916

₡579

₡386

₡305

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₡255

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Mult.: 1

Carrete: 2 500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

40 V

19 A

6.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

6 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 300Vds 30Vgs AEC-Q101 Qualified

SQD10N30-330H_GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡1 270
12 038En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQD10N30-330H_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQD10N30-330H_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 300Vds 30Vgs AEC-Q101 Qualified

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12 038En existencias

Cinta cortada

₡1 270

₡812

₡552

₡440

Envase tipo carrete

₡374

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MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 2 000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

300 V

10 A

275 mOhms

- 30 V, 30 V

3.4 V

47 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ4064EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡795
14 102En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4064EY-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4064EY-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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Comentarios de Producto

14 102En existencias

Cinta cortada

₡795

₡559

₡386

₡305

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₡248

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2 500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

60 V

12 A

16.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

6.8 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 300-V (D-S) AEC-Q101 Qualified

SQM35N30-97_GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡2 772
1 484En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQM35N30-97_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQM35N30-97_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 300-V (D-S) AEC-Q101 Qualified

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1 484En existencias

₡2 772

₡1 839

₡1 450

₡1 334

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

300 V

35 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

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- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQM40010EL_GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡2 268
1 166En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQM40010EL_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQM40010EL_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

1 166En existencias

Cinta cortada

₡2 268

₡1 491

₡1 044

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Envase tipo carrete

₡992

₡899

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.21 mOhms

- 20 V, 20 V

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230 nC

- 55 C

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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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SQD25N06-22L_T4GE3
Vishay Semiconductors
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N.º de artículo del Fabricante
SQD25N06-22L_T4GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQD25N06-22LT4GE

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 25A 62W AEC-Q101 Qualified

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6 731En existencias

Cinta cortada

₡1 264

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₡559

₡473

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₡365

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60 V

25 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

62 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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N-Channel

1 Channel

100 V

23 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified

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SMD/SMT

PowerPAK-1212-8W-8

N-Channel

1 Channel

60 V

8 A

36 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

39 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJA68EP-T1_GE3
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N-Channel

1 Channel

100 V

14 A

76.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

4.7 nC

- 55 C

+ 175 C

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Enhancement

AEC-Q101

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SQJ420EP-T1_GE3
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1 Channel

40 V

30 A

8.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

41 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

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AEC-Q101

PowerPAK

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

60 V

64 A

7.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

106 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

440 mA
1.6 A
1.7 A
2 A
2.25 A
5.63 A
8 A
9 A
10 A
11.5 A
12 A
13 A
14 A
14.7 A
15 A
16 A
18 A
19 A
20 A
21.4 A

840 uOhms
870 uOhms
900 uOhms
1.2 mOhms
1.21 mOhms
1.3 mOhms
1.4 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.9 mOhms
2 mOhms
2.4 mOhms
2.45 mOhms
2.6 mOhms
2.8 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.45 mOhms
3.7 mOhms

2.3 nC
2.5 nC
4 nC
4.1 nC
4.6 nC
4.7 nC
5.2 nC
5.5 nC
6 nC
7.6 nC
7.9 nC
9.7 nC
10.6 nC
11 nC
12.4 nC
12.7 nC
13 nC
17 nC
17.6 nC
18 nC

430 mW
2 W
3 W
3.3 W
5 W
6 W
6.8 W
7.1 W
13.6 W
27 W
31.25 W
39 W
45 W
46 W
48 W
55 W
62 W
62.5 W
68 W
70 W