Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

FDMC7570S

Name: onsemi FDMC7570S
Brand: onsemi
SKU: 512-FDMC7570S
Price: 1346 CRC
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

512-FDMC7570S

Fabricante N.º:

FDMC7570S

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V 40A 2mOhm N-CH PowerTrench SyncFET

Hoja de datos:

FDMC7570S Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre onsemi FDMC7570S

En existencias: 5

Existencias:: 5

Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
En pedido:: 3 000

Se espera el 12/6/2026
Plazo de entrega de fábrica:: 26

Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

₡-

Precio ext.:

₡-

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡1 346	₡1 346
	₡1 038	₡10 380
	₡922	₡461 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡387	₡1 161 000

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	Power-33-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	25 V
Id - Corriente de drenaje continua:	40 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.7 V
Qg - Carga de puerta:	68 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	59 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	SyncFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	4.5 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	154 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	6.8 ns
Serie:	FDMC7570S
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	34 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	14 ns
Peso de la unidad:	32,130 mg

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

FDMC7570S Hoja de datos

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

FDMx75x PowerTrench® MOSFETs & SyncFETs™

onsemi FDMx757x PowerTrench^® MOSFETs and SyncFETs™ combine exceptional performance and high efficiency. The FDMC7570S and FDMC7572S PowerTrench SyncFETs are designed to minimize switching losses in power conversion applications. These SyncFETs offer low ON-resistance, maintain excellent switching performance, and add the benefit of an efficient monolithic Schottky body diode. The onsemi FDMS7578 and FDMS75780 MOSFETs improve the overall efficiency and minimize switch node ringing of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. These MOSFETs are optimized for low gate charge, low on-resistance, fast switching speed, and body diode reverse recovery performance.